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查看: 937|回复: 6

[求助] 关于热噪声的疑惑?

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发表于 2024-7-1 17:17:52 | 显示全部楼层 |阅读模式

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之前学运放时,对于热噪声优化的理解是增大输入管gm,减小电流管gm可以使等效的输入参考噪声减小。但看到这句话:


  除了闪烁噪声之外,带隙电路中还会产生一定量的白噪声,通常是以MOS管的沟道噪声和电阻的热噪声形式出现。对于已知的压降,这些噪声源与流过该元件的电流成平方根反比MOS管的宽长比随着漏极电流的增加而线性增加。换句话说,MOS管有较大的漏极电流就会有较小的沟道噪声,小电阻有大电流和小的热噪声。在带隙基准电路中,较小输出噪声要求使用大尺寸的MOS晶体管,大电流,或者在电路的关键部分用双极器件代替MOS器件。
    “对于已知的压降,这些噪声源与流过该元件的电流成平方根反比。MOS管的宽长比随着漏极电流的增加而线性增加。换句话说,MOS管有较大的漏极电流就会有较小的沟道噪声”这句话没太看明白。为什么MOS管有较大的漏极电流就会有较小的沟道噪声?


 楼主| 发表于 2024-7-1 17:19:10 | 显示全部楼层
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 楼主| 发表于 2024-7-1 18:08:49 | 显示全部楼层
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 楼主| 发表于 2024-7-2 09:44:35 | 显示全部楼层
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发表于 2024-7-2 10:16:10 | 显示全部楼层
很明显是翻译过来的资料,读起来是真费劲。找找原文再讨论吧
发表于 2024-7-2 10:49:50 | 显示全部楼层
本帖最后由 luminedinburgh 于 2024-7-2 11:24 编辑

热噪声的理解需要理清2个物理”公理“, 2个数学”逻辑“

1. 单个管子的gm大噪声就会小 Vn=sqrt(4kTγ/gm)(不研究半导体物理的话,默认这个就是公理);
2. gm=2*K'*(W/L)*Ids (不研究器件建模的话,默认这个1st-oder fitting的公式就是公理);
3. 多级系统,input reffer后,前级增益会抑制后级(x*100=100μVRMS, x=1μVRMS,一元一次方程)
4.器件热噪声的叠加要平方求和(背后的逻辑是随机信号处理 非周期稳态+不相关:哲学点,我们认为“人不可能两次踏进同一条河流”比较正确,认为“人一次也不能踏进同一条河流”是诡辩;现实点,差分电路中共模偏置的噪声贡献 以及 欠采样的噪声推导可以加深你的理解)


 楼主| 发表于 2024-7-2 14:18:50 | 显示全部楼层


贾郑和 发表于 2024-7-2 10:16
很明显是翻译过来的资料,读起来是真费劲。找找原文再讨论吧


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