请问Guard Ring能当作VDD或GND用吗？

recentcabbage · 发表于 2024-3-27 17:39:16

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小白在学画layout，网上看到一些视频把PMOS需要接VDD的source端直接用M1接在周围的NWELL guard ring上，或者是NMOS的source端通过psub guard ring接GND；

之前好像看别人说过guard ring不能过电流，网上的这种接法OK吗？还是说需要通过在source上打VIA引出高层金属连线越过guard ring再统一接VDD和GND?

이지은 · 发表于 2024-3-27 18:03:27

可以啊，本质上还是metal的EM，EM够了就行

SClearner · 发表于 2024-3-27 21:20:01

个人认为一般情况下最好还是不要在guard ring上走电流。因为guard ring其实相当于给提供一个参考电位，比如给bulk提供一个电位。倘若在guard ring上走电流，那就有可能出现IR drop，导致同一个guard ring下不同MOS管的bulk电压不一致，导致匹配性等出现问题。

C7cgff · 发表于 2024-3-28 08:49:20

本帖最后由 C7cgff 于 2024-3-28 16:16 编辑

只有dummy可以，正常管子电源必须从顶层打到M1，不能通过GR走电源

LZPDZ7 · 发表于 2024-3-28 09:04:57

SClearner 发表于 2024-3-27 21:20
个人认为一般情况下最好还是不要在guard ring上走电流。因为guard ring其实相当于给提供一个参考电位，比如 ...

大佬，请问那应该怎么接，直接接上层金属就不会有压降了？

tea_whz · 发表于 2024-3-28 09:23:04

没什么不可以，但是ring上的金属要加宽，有些公司为了电源稳定使用双电源设计（Bulk和Source分开接不同vdd/vss），但除非是对电源噪声和稳定性有极高的要求，否则意义不大

SClearner · 发表于 2024-3-28 09:23:37

本帖最后由 SClearner 于 2024-3-28 11:47 编辑

LZPDZ7 发表于 2024-3-28 09:04
大佬，请问那应该怎么接，直接接上层金属就不会有压降了？

不敢称大佬，只是是DE小兵。直接用上层金属打到MOS的M1可以保证在guard ring上没有压降，guard ring和走电流的电源/地在靠近出PIN的位置再连到一起然后出pin

poly_lq · 发表于 2024-3-28 11:20:17

SClearner 发表于 2024-3-28 09:23
不敢称大佬，只是是DE小兵。直接用上层金属打到MOS的M1可以保证在guard ring上没有压降，guard ring和走 ...

这样不是常见做法，很少有公司这么干的。可以研究一下什么是衬偏

nomatterwhat · 发表于 2024-3-28 14:35:21

能是能但是得加宽ring或者只加宽金属如果只是一条的ring，就不太建议用来当电源线

0103 · 发表于 2024-3-28 15:28:05

guard ring不是不能过电流，是不需要大电流，随便接根线就好。一些小工艺把guardring当power&gd在做法上都是禁止的，因为很可能EMIR不过

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