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[求助] 各位大佬,求问ESD放电金属环的宽度是依据什么确定多宽的,拜谢了!!!

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发表于 2024-3-16 14:50:24 | 显示全部楼层 |阅读模式
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ESD工艺文件一般会有类似这样的图示rule(基于HBM2000V和CDM200V)。rule来源是从ESD原理来的。比如HBM2000V,正常ESD最大电流约1.33A,如果ESD环(我一般说ESD电流路径阻抗)电阻是1欧姆,那么就会形成1.33V电压(这里没有考虑ESD器件本身的开启电压和导通电阻),这个电压一般不会导致内部电路被击穿,所以比较合理,如果电阻变成5欧姆了,那电压就是6.65V,非常可能会导致内部电路损坏。图示中的阻抗不止是版图金属贡献的,P ...
发表于 2024-3-16 14:50:25 | 显示全部楼层



                               
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ESD工艺文件一般会有类似这样的图示rule(基于HBM2000V和CDM200V)。rule来源是从ESD原理来的。比如HBM2000V,正常ESD最大电流约1.33A,如果ESD环(我一般说ESD电流路径阻抗)电阻是1欧姆,那么就会形成1.33V电压(这里没有考虑ESD器件本身的开启电压和导通电阻),这个电压一般不会导致内部电路被击穿,所以比较合理,如果电阻变成5欧姆了,那电压就是6.65V,非常可能会导致内部电路损坏。图示中的阻抗不止是版图金属贡献的,Powerclamp本身也有导通电阻的,这也需要考虑在内。
 楼主| 发表于 2024-3-18 09:00:34 | 显示全部楼层
希望大神莅临。别沉。
发表于 2024-3-18 09:33:27 | 显示全部楼层
以我做过的项目来说,ESD的电源环和地环上的电阻尽量控制在 2 ohm以内,当然按照我以前看过的资料是说 1 ohm以内最好,但是实际由于芯片比较大控制在1 ohm以内实在太宽,所以一般就放到2 ohm了。
发表于 2024-3-18 09:42:21 | 显示全部楼层
电流瞬态电流100mA,然后根据design rule算宽度就行了
发表于 2024-3-18 10:00:42 | 显示全部楼层
ESD金属环宽度?假如就是芯片ESD路径的金属走线宽度。
1、ESD金属走线宽度一般按照工艺design rule文件中ESD场景下金属通流能力来确定的,比如ESD场景下金属M5通流能力是100mA/um,那在HBM2000V,ESD电流约是2000V/1.5K=1.33A,那金属最低线宽是1.33A/100uA/um=13.3um。
2、上面的ESD场景下金属M5通流能力100uA/um正常是工艺提供的,工艺文件中这个怎么来的呢?工艺对金属做ESD TLP测试确定的。不过我理解正常工艺应该会留一定余量吧。
3、当然,正常的ESD版图设计你不能只参考工艺,你还是需要留一定余量的。毕竟工艺测试的场景是教单一的,实际芯片版图情况复杂,有参考再留一定余量更可靠。
 楼主| 发表于 2024-3-18 10:24:29 | 显示全部楼层


tea_whz 发表于 2024-3-18 09:33
以我做过的项目来说,ESD的电源环和地环上的电阻尽量控制在 2 ohm以内,当然按照我以前看过的资料是说 1 oh ...


首先非常感谢大哥,您说的电源环和地环2欧姆是指IO到电源地2欧姆还是整个环2欧姆,还有和power clamp的位置有什么讲究,谢谢!
发表于 2024-3-18 13:43:08 | 显示全部楼层


jessiann 发表于 2024-3-18 10:24
首先非常感谢大哥,您说的电源环和地环2欧姆是指IO到电源地2欧姆还是整个环2欧姆,还有和power clamp的位 ...


我指的是环上任意两点之间的电阻
 楼主| 发表于 2024-3-18 16:21:29 | 显示全部楼层


Daixishi1988215 发表于 2024-3-18 12:07
ESD工艺文件一般会有类似这样的图示rule(基于HBM2000V和CDM200V)。rule来源是从ESD原理来的。比如HBM2 ...


您说的1欧姆是指任何ESD放电路径吗?您这图不完整,您可以把关于这个1欧姆的完整内容发我邮箱吗?jessiann@163.com,感激不尽,跪谢了!
发表于 2024-7-17 10:29:22 | 显示全部楼层
本帖最后由 gxj_gy 于 2024-7-17 10:55 编辑


Daixishi1988215 发表于 2024-3-18 10:00
ESD金属环宽度?假如就是芯片ESD路径的金属走线宽度。
1、ESD金属走线宽度一般按照工艺design rule文件中ES ...


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