各位大佬，求问ESD放电金属环的宽度是依据什么确定多宽的，拜谢了！！！

jessiann

Daixishi1988215

                               
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ESD工艺文件一般会有类似这样的图示rule（基于HBM2000V和CDM200V）。rule来源是从ESD原理来的。比如HBM2000V，正常ESD最大电流约1.33A，如果ESD环（我一般说ESD电流路径阻抗）电阻是1欧姆，那么就会形成1.33V电压（这里没有考虑ESD器件本身的开启电压和导通电阻），这个电压一般不会导致内部电路被击穿，所以比较合理，如果电阻变成5欧姆了，那电压就是6.65V，非常可能会导致内部电路损坏。图示中的阻抗不止是版图金属贡献的，Powerclamp本身也有导通电阻的，这也需要考虑在内。

jessiann

希望大神莅临。别沉。

tea_whz

以我做过的项目来说，ESD的电源环和地环上的电阻尽量控制在 2 ohm以内，当然按照我以前看过的资料是说 1 ohm以内最好，但是实际由于芯片比较大控制在1 ohm以内实在太宽，所以一般就放到2 ohm了。

zxkl317408

电流瞬态电流100mA，然后根据design rule算宽度就行了

Daixishi1988215

ESD金属环宽度？假如就是芯片ESD路径的金属走线宽度。
1、ESD金属走线宽度一般按照工艺design rule文件中ESD场景下金属通流能力来确定的，比如ESD场景下金属M5通流能力是100mA/um，那在HBM2000V，ESD电流约是2000V/1.5K=1.33A，那金属最低线宽是1.33A/100uA/um=13.3um。
2、上面的ESD场景下金属M5通流能力100uA/um正常是工艺提供的，工艺文件中这个怎么来的呢？工艺对金属做ESD TLP测试确定的。不过我理解正常工艺应该会留一定余量吧。
3、当然，正常的ESD版图设计你不能只参考工艺，你还是需要留一定余量的。毕竟工艺测试的场景是教单一的，实际芯片版图情况复杂，有参考再留一定余量更可靠。

jessiann

tea_whz 发表于 2024-3-18 09:33
以我做过的项目来说，ESD的电源环和地环上的电阻尽量控制在 2 ohm以内，当然按照我以前看过的资料是说 1 oh ...

首先非常感谢大哥，您说的电源环和地环2欧姆是指IO到电源地2欧姆还是整个环2欧姆，还有和power clamp的位置有什么讲究，谢谢！

tea_whz

jessiann 发表于 2024-3-18 10:24
首先非常感谢大哥，您说的电源环和地环2欧姆是指IO到电源地2欧姆还是整个环2欧姆，还有和power clamp的位 ...

我指的是环上任意两点之间的电阻

jessiann

Daixishi1988215 发表于 2024-3-18 12:07
ESD工艺文件一般会有类似这样的图示rule（基于HBM2000V和CDM200V）。rule来源是从ESD原理来的。比如HBM2 ...

您说的1欧姆是指任何ESD放电路径吗？您这图不完整，您可以把关于这个1欧姆的完整内容发我邮箱吗？jessiann@163.com，感激不尽，跪谢了！

gxj_gy

Daixishi1988215 发表于 2024-3-18 10:00
ESD金属环宽度？假如就是芯片ESD路径的金属走线宽度。
1、ESD金属走线宽度一般按照工艺design rule文件中ES ...

顶一下！