关于GDNMOS的问题

lllyyy625 · 发表于 2024-3-8 19:24:02

本帖最后由 lllyyy625 于 2024-3-8 19:25 编辑

各位大侠，想请教以下：这个图片里所画的GDnmos是不是R和C位置反了？

andyfan · 发表于 2024-3-8 19:24:03

是的，你感觉没错，就是反了；

屏幕截图 2024-03-09 112800.png

提醒一点，实际在这种应用情况下，这个NMOS并不是GDMOS，实际上更习惯叫做BIGMOS，因为这种POWERCLAMP，MOS管是工作在正常放电区域。工作机理是完全不同于GDNMOS的，很多设计规则里面，这种BIGMOS的设计规则和GDNMOS的设计规则也不完全一致。

esbwong · 发表于 2024-3-8 23:34:06

本帖最后由 esbwong 于 2024-3-9 00:54 编辑

图2 R C 似乎位置翻转了
想要当输入VCC supply快速上升时打开ESD NMOS
常态ESD NMOS关

lllyyy625 · 发表于 2024-3-9 16:14:57

谢谢要的就是你的肯定回答

zhangyp · 发表于 2024-3-18 21:34:26

请问是GCMOS还是GDMOS的ESD防护效果好？有人有比较吗？这个ESD放电的过程是通过MOS的沟道表面还是靠背面的BJT开启放电呢？

fei_SH · 发表于 2024-3-19 09:34:15

zhangyp 发表于 2024-3-18 21:34
请问是GCMOS还是GDMOS的ESD防护效果好？有人有比较吗？这个ESD放电的过程是通过MOS的沟道表面还是靠背面的B ...

都有各自的优缺点和自己的适用场景，看你想要怎么的TLP曲线了。

zhangyp · 发表于 2024-3-19 17:15:45

能大概讲一下GC/D mos的这种区别和应用场景吗？这个是做power clamp用的吧，是表面放电还是背面寄生NPN放电呢？如果是表面沟道放电，该如何控制让这些管子同时都导通呢？

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