关于MOS电流推导中沟道电荷密度公式的疑问

红红的西瓜

Razavi和Gray关于深线性区电荷密度都是Qd=WCox(Vgs-Vth)，看公式的话，有效的电荷是高于Vth的那部分电压产生的，但是根据阈值电压定义，当Vgs=Vth的时候，反型层浓度已经达到和bulk多子浓度一致，为什么这部分电荷不参与Qd电荷密度的计算呢？而是只按照高于Vth的电压算

andyfan

沟道和体硅反型的话，哪是不是表面沟道和体硅的N/P不同，是不是存在耗尽区，是不是就应该有个体电容；构成这个体电容两边基本电压降的电荷是不参与运输的。
其实这个解释不那么准确，但是大致是这个意思。其实书上也大致是这个意思，就是体硅耗尽区电容形成后，新增的压降基本都落在栅氧电容上。