图中HVBN上的anti type imp combined in NDRF的作用是什么？它是怎么形成的？

lsxiu · 发表于 2024-3-4 19:33:52

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ncash0933 · 发表于 2024-3-5 10:24:53

N 型漂移(N-Drift)

lsxiu · 发表于 2024-3-6 10:55:12

ncash0933 发表于 2024-3-5 10:24
N 型漂移(N-Drift)

可以详细解释一下吗，主要是不明白anti type imp combined in NDRF这个p反型层怎么形成的。

ncash0933 · 发表于 2024-3-7 14:15:04

需要查看mask layer或是design rule的mask operation才清楚怎么形成的

WXEK狂 · 发表于 2024-5-7 09:17:28

这是LDMOS吧，你说的部分相当于HVBP，或者p-epi，不是N型的。

cll783470279 · 发表于 2024-7-5 16:56:13

个人理解，用来隔离高压MOS DRAIN端和HVBN。图里应该是两个高压NMOS共SOURCE的剖面图，高压MOS的drain需要承受较高的电压，因此做在结深比较深的NDRF里面，没有这一层的话,NDRF和HVBN只能是同电位，而我们需要的是不同的输出电压，加上这一层，同一个HVBN上面可以有不同的NDRF电压

powerboy711 · 发表于 2024-7-5 17:21:05

本帖最后由 powerboy711 于 2024-7-5 17:26 编辑

和NDRF共用一套mask，在做NDRF前先做反型注入，然后再做NDRF, 需要注意的是NDRF 图形是一块不是图中显示的两块，是因为做Pbody后才被分割成图中的样子;作用就是使NDRF,和HVBN 分开，否则HVBN和NDRF是短接的，即LDMOS的ISO和D必须短接使用，而做了这个层次后， LDMOS 的ISO和D可以分别接不同电位

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