在线咨询
eetop公众号 创芯大讲堂 创芯人才网
切换到宽版

EETOP 创芯网论坛 (原名:电子顶级开发网)

手机号码,快捷登录

手机号码,快捷登录

找回密码

  登录   注册  

快捷导航
搜帖子
查看: 858|回复: 4

[讨论] 请问finFET 7nm 和普通 28nm 工艺在后端设计方面有什么区别

[复制链接]
发表于 2024-3-4 16:16:22 | 显示全部楼层 |阅读模式

马上注册,结交更多好友,享用更多功能,让你轻松玩转社区。

您需要 登录 才可以下载或查看,没有账号?注册

x
刚接触到一个finFET 7nm 的block项目,之前接触大部分项目都是40nm,28nm,工艺上的区别已自行百度大概了解了finFET工艺制作以及结构,
现在想知道在后端设计时和传统的28nm 有什么区别呢?



发表于 2024-3-4 22:42:29 | 显示全部楼层
某知识星球7nm项目?
 楼主| 发表于 2024-3-5 14:10:16 | 显示全部楼层


bin_bingo 发表于 2024-3-4 22:42
某知识星球7nm项目?


不是的,公司真实项目
发表于 2024-3-6 22:46:40 | 显示全部楼层
据AE介绍,finFET的多了很多DRC,一个阶段做完就要解一遍DRC
发表于 2024-3-8 14:24:15 | 显示全部楼层
place的时候有更多drc的约束
您需要登录后才可以回帖 登录 | 注册

本版积分规则

关闭

站长推荐 上一条 /2 下一条


小黑屋| 手机版| 关于我们| 联系我们| 在线咨询| 隐私声明| EETOP 创芯网
( 京ICP备:10050787号 京公网安备:11010502037710 )

GMT+8, 2024-11-22 05:14 , Processed in 0.017606 second(s), 6 queries , Gzip On, Redis On.

eetop公众号 创芯大讲堂 创芯人才网
快速回复 返回顶部 返回列表