Digital APR, 每隔多远放一个 tie high 和 tie low cell 合适？

hanm

请教有经验的大牛，目前多数 standard cell 自身都不带衬底的有缘区，其目的是为了提高APR的cell density。在这种情况下，数字电路APR时，每隔多远放一个 tie high （连接衬底链接到VDD） & tie low （连接衬底到GND）合适？对于不同节点的工艺，比如说0.18um、55nm等，这个规则有大的区别吗？

往事如风

根据design rule来考虑，如果超过rule要求，DRC会报错的，有latchup风险。原则上越近越多越好，但是会过多占用空间，所以一般比rule最大的值小点就可以了。不同节点肯定不一样，180nm跟55nm差远了。

hanm

往事如风 发表于 2024-2-23 09:03
根据design rule来考虑，如果超过rule要求，DRC会报错的，有latchup风险。原则上越近越多越好，但是会过多 ...

好，了解，感谢您的热心帮助，感谢~

cocoonqqq

我们有过数字pr按照规则间距正常打tapcell也被latchup的例子。后来发现是模拟那边进来号称供给数字的电源地有问题。