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[讨论] 主要噪声的形成以及隔离方法。

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发表于 2024-2-1 14:24:05 | 显示全部楼层 |阅读模式

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由于流入衬底的电流引起衬底电压波动而形成的衬底噪声,或与信号线之间寄生电容耦合导致的串扰噪声。
衬底噪声隔离方法:
1)      工艺上采用SOI型衬底、浅掺杂衬底、深N阱隔离技术等来减少衬底噪声干扰。
SOI工艺:在硅晶片下增加氧化层的绝缘;
浅掺杂衬底:射频CMOS工艺下;
N阱隔离技术:将敏感的模块或射频电路放在深N阱中。
2)      增大芯片上敏感的模拟模块和数字模块之间的距离,可以减少衬底的耦合效应。
3)  使用保护环来隔离电路模块。
单层保护环。单层保护环由多子保护环构成。
双层保护环。多子保护环和少子保护环构成。
4)  将数字和模拟的电源线、地线分开。

发表于 2024-2-1 14:27:30 | 显示全部楼层
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发表于 2024-2-6 09:58:00 | 显示全部楼层
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发表于 2024-3-11 16:24:37 | 显示全部楼层
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发表于 2024-5-26 09:42:45 | 显示全部楼层
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