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EETOP 创芯网论坛 (原名：电子顶级开发网)»论坛 › IC 设计及制造（半导体、微电子） › Analog Layout（版图） › Layout讨论区 › 180nm工艺softchk问题
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查看: 1077|回复: 5

[求助] 180nm工艺softchk问题

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nuobeierjiang
发表于 2024-1-27 10:12:32 | 显示全部楼层 |阅读模式

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小弟再在画版图，图中有两个不同的地，两个地必须要分开。其中一个地是二极管的一端，另一个地连接几个nmos的body。在跑lvs的时候会报错说二极管那一端的地连接到了nmos body的地上。试过了用psub2去保护二极管的接地的那一端，并不行，二极管也添加了保护环。请问有前辈们遇到过类似的情况吗？是怎么解决的？感谢解答和讨论。



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SUHOZhang
发表于 2024-1-27 21:39:32 | 显示全部楼层
我是先把两个地接一起跑LVS，最后再断开分别拉出来就行
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nuobeierjiang
 楼主| 发表于 2024-1-28 06:39:38 | 显示全部楼层


SUHOZhang 发表于 2024-1-27 21:39
我是先把两个地接一起跑LVS，最后再断开分别拉出来就行


谢谢回复。我尝试把两个地接在一起做LVS，是可以通过的。这两个地在流片之后确实可以接在一起，但是其中的一个地其实是一个在仿真中一个激励信号的输入，如果两个地在一起接的时候就没有办法做后防。请问有没有什么方法在LVS的时候把两个地分隔开呢？
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Kevin0147
发表于 2024-1-29 09:46:10 | 显示全部楼层
我用的SUBD（smic180）的层次盖上ndio的p型区域，lvs是可以通过的欸。
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tea_whz
发表于 2024-1-29 09:54:56 | 显示全部楼层
应该是PSUB2没有完全覆盖二极管吧, TSMC的工艺是要求完全覆盖器件, 包括一些类似HVDMY之类的dummy层次也要覆盖, 且相应的dummy层次不能和周围的其他dummy层有重合
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nuobeierjiang
 楼主| 发表于 2024-1-29 11:04:29 | 显示全部楼层


Kevin0147 发表于 2024-1-29 09:46
我用的SUBD（smic180）的层次盖上ndio的p型区域，lvs是可以通过的欸。


谢谢您！ 问题已经解决了
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