关于传递负压信号的传输门

xduic

如题所示，如果我在电路中对某一个电容加了开关，希望能对其打开或者关闭。正常情况下，传输门开关的控制电压应该为0/VDD。但是我在基于电荷重分配的原则下设计了电路，电容的电压有可能出现负值，此时开关就会泄露。所以我希望能把传输门的开关电压控制在-VDD/VDD上。不知道这么做有没有什么问题，或者大家伙有没有什么推荐的文献或者资料可以参考。芯片的电路设计中可以出现负压的信号吗？

子车天纵

1.传输管自身的耐压有没有问题，能不能有效开通或者关断。
2.要注意器件的纵向结构中会不会出现不期望的PN结导通从而导致漏电.
3.负压的电路在layout上要做好隔离，避免出现寄生三极管的导通。

xduic

子车天纵 发表于 2024-1-26 14:08
1.传输管自身的耐压有没有问题，能不能有效开通或者关断。
2.要注意器件的纵向结构中会不会出现不期望的PN ...

好的谢谢
1. 传输管的耐压值是不是指的是栅和衬底的压差呢，如果是这样的话，那我应该换用更高耐压的晶体管，库里面也提供了2.5V的，这样就需要电路里同时应用1.2V和2.5V的晶体管了，应该没有问题吧？
2. 我们用的工艺库管子默认是1.2V，如果用传输门关断负压信号的话，那么这个传输门的衬底也应该接到负电压电位，这样就可以避免PN结导通了吧？

3. 另外，您说的负压做好隔离，是指的避免闩锁效应吗，这样的话加保护环应该就可以吧。
最后，请问一下您有没有相关的论文或者专利资料呢，谢谢！

子车天纵

xduic 发表于 2024-1-26 15:15
好的谢谢
1. 传输管的耐压值是不是指的是栅和衬底的压差呢，如果是这样的话，那我应该换用更高耐压的晶体 ...

1.指的是管子相关的所有耐压，在静态和动态的时候有没有超压的风险。

2.衬底是共用的，都是地电位。要用隔离器件去做。

xduic

子车天纵 发表于 2024-1-26 16:37
1.指的是管子相关的所有耐压，在静态和动态的时候有没有超压的风险。

2.衬底是共用的，都是地电位。要用 ...

好的 谢谢