对于N型Mosfet的体效应，为什么栅极和衬底的压差越大，阈值电压越大？

匡宋超 · 发表于 2024-1-20 14:43:57

看到其他页主的解释：沟道是靠反型层形成的，反型层就是一层电子组成的导电沟道。在形成反型层之前，先形成的是耗尽层，对于NMOS来说是P衬底，P型里的多子是空穴，意味着电子比较少，形成耗尽层时，靠近栅极端的空穴要先被电子填满，填满后就成为一个个负电荷，所以当衬底加负电压时，电子被驱赶到上方，形成耗尽层，负电压越负，耗尽层越宽，而反型层是靠栅极端的正电压把衬底中的电子吸上去，由于负电荷的排斥，所以需要加大栅极电压，这样阈值电压就增大了。耗尽层中负电荷的电子被束缚住，较比从衬底中吸引电子，更难被抠出。

匡宋超 · 发表于 2024-1-20 15:02:47

当bulk加电压后，使沟道耗尽区变宽，于是反型区载流子减少，ID减小。 Vt增大，要想得到同样的ID，则必须要增大VG。

zq1316253069 · 发表于 2024-1-22 11:26:11

耗尽层变宽，翻翻模电和半导体物理

zq1316253069 · 发表于 2024-1-22 11:27:05

有一个计算公式

EchoEchoEcho · 发表于 2024-6-3 16:23:32

学习一下

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