匹配器件摆放方向一致。

zhaohaoyang

为什么2：匹配器件摆放方向一致。

栅阴影效应。

在进行源/漏区离子注人时为了避免沟道效应，通常把注入方向（或圆片方向）倾斜 7°左右，由于栅多晶硅阻挡了一部分离子，在多晶某一侧的源区（或漏区）形成注人阴影，在阴影区域就会因注人离子较少，结果使源区或漏区边缘的注入浓度产生细微的不对称。这就可能会产生很大失配。