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查看: 1143|回复: 4

[求助] LDO利用stb出现的尖峰增大带宽后的稳定性问题

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发表于 2023-12-29 04:13:31 | 显示全部楼层 |阅读模式

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本帖最后由 gabriellezhang 于 2023-12-29 04:14 编辑

大家好!正在做一个fast transient LDO,结构中有两个环路,慢环现在稳定且GBW为3MHZ左右,符合要求。因为自控原理中说,快环的GBW至少为慢环的10倍,也就是大于30MHz,这样两个环路才不会互相影响。但这个快环受限于负载电容,难以同时稳定又GBW够高。于是我利用了SSF结构引入的共轭极点的尖峰,增大了GBW,巧合的是这个共轭极点后又紧跟着疑似是共轭零点的零点,把相位提高了,所以PM现在也挺高,有80-100°。我以为到这里这个LDO的稳定性不应该出问题了, 但在跑瞬态时出现了不会衰减的震荡,一整个不稳定。


有大佬知道问题出在哪里吗?

并且我试图自己在快环中制造零点补偿,试了在输出电容上加ESR,也试图在SSF的输出上加RC串联,但零点怎么也造不出来


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发表于 2023-12-29 09:12:31 | 显示全部楼层
VG处和VOUT处极点会不会太接近了
 楼主| 发表于 2023-12-29 16:47:44 来自手机 | 显示全部楼层


lihaiqi208 发表于 2023-12-29 09:12
VG处和VOUT处极点会不会太接近了


在我不加任何补偿技术的时候,vout极点的确是在GBW内的,很难满足带宽又稳定,vout值基本定死,负载电容10pF,VG极点通过增大ssf的电流被推得还行,所以我才只能利用这个尖峰
 楼主| 发表于 2023-12-29 18:40:39 来自手机 | 显示全部楼层
顶一下
发表于 2023-12-31 12:13:56 | 显示全部楼层


gabriellezhang 发表于 2023-12-29 16:47
在我不加任何补偿技术的时候,vout极点的确是在GBW内的,很难满足带宽又稳定,vout值基本定死,负载电容1 ...


这样搞带宽增加了,增益裕度够了吗?
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