关于高压器件布局

aybc · 发表于 2023-12-27 15:42:18

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大佬们，我刚刚入门高压器件，想知道电路图里面红框圈起来的这几个器件，如果按照我这样摆，可以像layout图红框里面圈出来的那样直接铺一层hvpw不加一行环吗微信图片_20231227151939.png

电路图是这样的

layout图是这样的

谢谢！

Cheney聪 · 发表于 2023-12-27 16:00:36

这个具体得结合工艺，而且你加这个的目的是什么，你要做隔离吗还是

Frostmourne · 发表于 2023-12-27 17:04:45

1.如果你是严格按照分压顺序摆放的mos，且hvpw跑的不是很长，那就可以。
2.如果你的mos不是按照顺序摆放，因为你后几级NW是吃的电阻分压的电位，会导致你NW之间的压差越来越大，同时你的hvpw是通过imp而不是diff和金属给的电位，跑的距离越长，hvpw电位越不充分，可想而知你的NPN三极管会有导通的风险。
当然，有空间的话最好加上，因为安全！！！

이지은 · 发表于 2023-12-27 17:05:23

不行，如果都接地那可以，但几乎都是S端自衬，全是不同电压域，你还只有这点距离，建议是最好在中间双孔的pring接地隔开

andy2000a · 发表于 2023-12-27 17:51:05

P5iso 就5v iso 管, 如果UHV 可能都同井内

但是PM6 PM7 PM11 有自己一区跟PM4 PM5 不同啊.

一般pmos 设计习惯bulk 端接高电位可PMOS 共享 ,

但如 PM6 PM7 须独立well , 有些是因5v vds 耐压问题

sujh0755 · 发表于 2023-12-28 10:12:21

PMOS都是做开关用的吧？为啥不用同一个阱电位？这样分开隔离的话会很占面积的。

sujh0755 · 发表于 2023-12-28 10:14:39

看起来像BG的trim电路，电阻串分压的trim控制管，这些PMOS每个管子VDS是多少？需要单独隔离吗？

aybc · 发表于 2024-1-3 11:30:17

Cheney聪发表于 2023-12-27 16:00
这个具体得结合工艺，而且你加这个的目的是什么，你要做隔离吗还是

因为他们自己带环，但是整体比较大，我就把原本的环去掉自己画的环想着这样可以合并会面积小一点

aybc · 发表于 2024-1-3 11:31:55

sujh0755 发表于 2023-12-28 10:12
PMOS都是做开关用的吧？为啥不用同一个阱电位？这样分开隔离的话会很占面积的。 ...

因为如果用一个阱电位的话lvs会报软连接的错

aybc · 发表于 2024-1-3 11:33:37

Frostmourne 发表于 2023-12-27 17:04
1.如果你是严格按照分压顺序摆放的mos，且hvpw跑的不是很长，那就可以。
2.如果你的mos不是按照顺序摆放， ...

谢谢受教了，就是因为面积不够所以才想着这样摆，那我看看能不能再严格按照分压顺序重新摆放吧

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