小白想问个关于工艺的简单的问题

Wzx_imos

一个简单的问题作为引子：我突然在思考，在工艺中N+区域和P+区域的参杂浓度一定是一致的吗？工艺文件中又没提到（说明）两者的掺杂浓度


       对于我们这些不太懂代工厂工艺的人，如果想知道一个代工厂制作出这些工艺层次的作用，以及这个层次做出了的位置和浓度，我该如何去了解呢？
因为我拿到了PDK里面的工艺文件，但是我并不清楚工艺层次的位置和浓度啊？

      如上图所示，我在工艺文件中只能找到这些工艺层次的名字和简单的介绍，我怎么知道这些工艺层次的掺杂浓度，以及这些工艺层次做在什么样的深度呢？比如说DHVNW和DNWELL,这个两个层次，哪一个掺杂浓度高一些呢，哪一个层次的深度更加深一些呢？
      有没有大佬能告诉我应该怎么在PDK里面查找这些信息啊？或者说推荐一些可以了解这些东西的信息源（比如说书本或者别的什么），我不知道的这些，可能对于了解硅工艺的大佬可能只是常识，还望大佬指教。

gubels

tnx..

cd1992

举个0.18示例吧： NP/PP 基本深度在0.2um以内，浓度1e19~1e21; NW/PW 峰值浓度1e16~17,峰值深度0.6~0.7um，最大深度1.3~1.5um，大概就是这么个情况。
如果想知道自己做的项目是什么个情况，可以让FAB给示意图。如果想自己找，可以尝试看下工艺仿真文献或专利，对深度和浓度是有描述的。

PN_Allen

cd1992 发表于 2023-12-13 15:21
举个0.18示例吧： NP/PP 基本深度在0.2um以内，浓度1e19~1e21; NW/PW 峰值浓度1e16~17,峰值深度0.6~0.7um， ...

这个浓度是什么单位呀，能打这么重吗？

本征硅也就到1e22的密度吧

PN_Allen

PDK里没有这些东西，这是工艺recipe，是工艺厂的机密，基本不要想从外面拿到。
而且对于设计人员来讲，这个无关紧要。

cd1992

PN_Allen 发表于 2023-12-13 17:04
这个浓度是什么单位呀，能打这么重吗？

本征硅也就到1e22的密度吧

这是从器件仿真角度给出的数据。工厂离子注入recipe对于重掺杂写的dosage最高基本也就1e15这个水平，而仿真软件用这些工艺条件进行仿真，NP/PP浓度确实是在1e19以上。再说一个，一般衬底8~12 ohm，相关资料给的掺杂水平是1e15,可供参考。如果是实测数据，晶圆厂未必一定有，这得做SRP或者SIMS才能得出

PN_Allen

cd1992 发表于 2023-12-14 10:20
这是从器件仿真角度给出的数据。工厂离子注入recipe对于重掺杂写的dosage最高基本也就1e15这个水平，而仿 ...

大佬是做TCAD的？仿真结果倒是真没接触过，不过FAB做SIMS也是常有的事

iamshan

半导体行业博大精深，能搞懂自己的部分就不容易了，贪多嚼不烂；如果想了解，就需要看网上能找到的工艺flow，看看有没有相近的做参考；如果是特殊的工艺，基本上你不能看到这些条件的；都是保密的；

LiuBrian_2024

其实 这些都不是什么秘密。但是，Fab 为了保护自己所谓的 饭碗。 他们就不说 位置和浓度。 其实，都有关系的。对应器件的特性表，Fab 都有。都是前人从仿真，实验 得到了结论，打多少浓度，receipe 对应关系都有。 设计就别问那么深了，都是一串疑问。其实 站在高处，这些都不是问题。

Wzx_imos

cd1992 发表于 2023-12-13 15:21
举个0.18示例吧： NP/PP 基本深度在0.2um以内，浓度1e19~1e21; NW/PW 峰值浓度1e16~17,峰值深度0.6~0.7um， ...

非常感谢你的回答