这两个相互矛盾的解释该如何理解

alex_fd12

当下图的开关管断开时，Sn=0,开关管的S和D被电阻上拉到vdd,当电阻很小时，可以认为两个Cx中间串联了一个小的电阻，这个小电阻影响了Q值，

Q=1/(w.c.R),当R增大时，Q值继续变小，继续恶化，从而影响整个LCtank的Q值，从而影响起振，但是当R增大到很大时，此时电阻相当于在S和D端断开，从而使的电容不接入谐振回路中，反而不影响起振了，但是这时这个电容电阻的串联电路Q值非常低，Q恶化极其严重，理论上应该会严重影响LC tank的起振，结果却是电容不接入LC TANK,从而不影响起振，这个矛盾的两个解释该如何理解？谢谢。

                               
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jamesccp

Sn=1，NMOS 开启，电阻偏置NMOS源漏在0，电容接入电路。
Sn=0，NMOS 关闭，电阻偏置NMOS源漏在1，寄生效应最小。