【求助】关于tsmc的蒙特卡洛文件设置问题

tongler

我用的是tsmc65nm仿真比较器失调，但是结果很奇怪，它是竖着分布的

我怀疑是我改错了lib_path/crn65gplus_2d5_lk_v1d0p1.scs文件里的代码：
代码里有两句提示：

NOTE:
//  1. To have the mismatch simulation result, the stat_mis_xxx libraries have to be included
//     with an interested corner (TT/FF/SS/FS/SF) together at the same time.
//  2. Only the process variation simulation is supported in mc_xxx MOS statistical
//     model library in this release version. To have the process variation result,
//     the stat library is required to include with mc_xxx together at the same time.
以下是我的修改
我在section mc里，添加了两个include，引用stat和stat_mis
并在section stat_mis里面添加了Parn1的初值（这个地方我按照报错改的，但我并不知道是不是可以直接这么写）

section stat_mis
parameters parn1=0
parameters parn2=0
parameters parp1=0
parameters parp2=0
//上面四行是修改
statistics {
mismatch {
  vary parn1 dist=gauss std=1/1
  vary parn2 dist=gauss std=1/1
  vary parp1 dist=gauss std=1/1
  vary parp2 dist=gauss std=1/1
  }
}
endsection stat_mis


垦请大神指教！

BJTUWKF

个人怀疑是你横轴的步长给的有点大了，我之前也遇到过这种问题

IC黑乎乎

看一下tb?

tongler

我知道是什么问题了，应该是测试输入的斜坡信号给的不够缓，这种全动态的比较器是依靠时钟才能比较的，所以输出的时间点是离散的，对应value函数得到的失调电压也是离散的，谢谢大家