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[求助] 求助MOS的击穿电压

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发表于 2023-11-20 20:52:07 | 显示全部楼层 |阅读模式
300资产
有两个关于MOS击穿电压的问题,请教一下各位大佬
1、model中给出的NMOS的VGS击穿电压是6.05V,那么如果NMOS的源极电压高于漏极电压,它的击穿电压是多少呢?与VGS的正向击穿电压相同吗?

2、同时,如果MOS没有导通,那么它的VDS击穿电压和导通的时候,VDS击穿电压相同吗?

发表于 2023-11-21 09:33:10 | 显示全部楼层
1.Model中的VGS通常不是真正的break电压,只是SOA的一个warning电压,一般是1.1VGG,在仿真时会有报警的作用;不管是SOA的VGS,还是真正的break VGS,和SD的大小没什么关系,就是VG和VS的绝对压差,其实没很懂你的问题后半部分,不知道有没回答你的问题 2.MOS开启和关断下的VDS击穿电压是不同的,通常叫做onBV和offBV,NMOS的onBV通常小于offBV,PMOS的onBV和offBV通常差别不是特别大,或者onBV略大于offBV,Fab提供的SOA测试数据曲线会有以上的信息
 楼主| 发表于 2023-11-21 09:48:27 | 显示全部楼层


freshworker 发表于 2023-11-21 09:33
1.Model中的VGS通常不是真正的break电压,只是SOA的一个warning电压,一般是1.1VGG,在仿真时会有报警的作 ...


非常感谢您的回答!
我补充一下我的问题,请问MOS栅极的正向击穿和反向击穿电压是一样的吗?
例如,NMOS的VGS > BV会击穿;那么,当源极电压高于栅极电压的时候,即VGS < 0,这个反向的击穿电压是多少呢,是-BV吗?

发表于 2023-11-21 10:54:51 | 显示全部楼层


y_potato 发表于 2023-11-21 09:48
非常感谢您的回答!
我补充一下我的问题,请问MOS栅极的正向击穿和反向击穿电压是一样的吗?
例如,NMOS ...


我觉得这时候你需要关注源漏互换了,正常mos管两端耐压是固定的
发表于 2023-11-21 11:30:36 | 显示全部楼层


y_potato 发表于 2023-11-21 09:48
非常感谢您的回答!
我补充一下我的问题,请问MOS栅极的正向击穿和反向击穿电压是一样的吗?
例如,NMOS ...


我感觉应该不是,VG>VS的时候栅氧化层在承受高压,并且是开启状态,VS>VG的时候是关断状态,并且像楼下说的SD互换,这个时候可能S到D也存在击穿的可能,不确定这种情况的VGS BV是多少,所以我感觉这两种情况下的BV应该不是简单的正负值的关系
 楼主| 发表于 2023-11-21 16:23:27 | 显示全部楼层
总结一下我查到的信息,若有不正确的地方,请大家指出
1、源漏之间的击穿。MOS导通的时候,源漏的击穿主要是punch through和drain与sub之间的反偏二极管击穿;MOS不导通的时候,应该主要考虑drain与sub之间的反偏二极管击穿?
2、栅氧的击穿,主要关注氧化层两边的电压。导通时,NMOS从漏到源电压逐渐降低,因此,源端应该更容易被击穿;不导通时,仍假设漏极电压高于源极电压,此时drain与sub接触的地方出现耗尽,这里的栅氧承受的压差最大,容易击穿,但不确定此时反向击穿栅氧的电压是否与正向击穿栅氧的电压一致
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