求助MOS的击穿电压

y_potato

有两个关于MOS击穿电压的问题，请教一下各位大佬
1、model中给出的NMOS的VGS击穿电压是6.05V，那么如果NMOS的源极电压高于漏极电压，它的击穿电压是多少呢？与VGS的正向击穿电压相同吗？

2、同时，如果MOS没有导通，那么它的VDS击穿电压和导通的时候，VDS击穿电压相同吗？

freshworker

1.Model中的VGS通常不是真正的break电压，只是SOA的一个warning电压，一般是1.1VGG，在仿真时会有报警的作用；不管是SOA的VGS，还是真正的break VGS，和SD的大小没什么关系，就是VG和VS的绝对压差，其实没很懂你的问题后半部分，不知道有没回答你的问题 2.MOS开启和关断下的VDS击穿电压是不同的，通常叫做onBV和offBV，NMOS的onBV通常小于offBV，PMOS的onBV和offBV通常差别不是特别大，或者onBV略大于offBV，Fab提供的SOA测试数据曲线会有以上的信息

y_potato

freshworker 发表于 2023-11-21 09:33
1.Model中的VGS通常不是真正的break电压，只是SOA的一个warning电压，一般是1.1VGG，在仿真时会有报警的作 ...

非常感谢您的回答！
我补充一下我的问题，请问MOS栅极的正向击穿和反向击穿电压是一样的吗？
例如，NMOS的VGS > BV会击穿；那么，当源极电压高于栅极电压的时候，即VGS < 0，这个反向的击穿电压是多少呢，是-BV吗？

Shiroihane

y_potato 发表于 2023-11-21 09:48
非常感谢您的回答！
我补充一下我的问题，请问MOS栅极的正向击穿和反向击穿电压是一样的吗？
例如，NMOS ...

我觉得这时候你需要关注源漏互换了，正常mos管两端耐压是固定的

freshworker

y_potato 发表于 2023-11-21 09:48
非常感谢您的回答！
我补充一下我的问题，请问MOS栅极的正向击穿和反向击穿电压是一样的吗？
例如，NMOS ...

我感觉应该不是，VG>VS的时候栅氧化层在承受高压，并且是开启状态，VS>VG的时候是关断状态，并且像楼下说的SD互换，这个时候可能S到D也存在击穿的可能，不确定这种情况的VGS BV是多少，所以我感觉这两种情况下的BV应该不是简单的正负值的关系

y_potato

总结一下我查到的信息，若有不正确的地方，请大家指出
1、源漏之间的击穿。MOS导通的时候，源漏的击穿主要是punch through和drain与sub之间的反偏二极管击穿；MOS不导通的时候，应该主要考虑drain与sub之间的反偏二极管击穿？
2、栅氧的击穿，主要关注氧化层两边的电压。导通时，NMOS从漏到源电压逐渐降低，因此，源端应该更容易被击穿；不导通时，仍假设漏极电压高于源极电压，此时drain与sub接触的地方出现耗尽，这里的栅氧承受的压差最大，容易击穿，但不确定此时反向击穿栅氧的电压是否与正向击穿栅氧的电压一致