合肥晶合110nm工艺DRC问题

HDZ980104 · 发表于 2023-11-6 17:17:21

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各位大佬，请教一个问题，合肥晶合.110工艺的这个drc怎么解决啊，由电阻产生的问题。

yixhishakai · 发表于 2023-11-6 17:23:11

加ring了吗？如果有的话可以把电阻变小或者减少根数再跑一下试试

HDZ980104 · 发表于 2023-11-6 17:25:03

yixhishakai 发表于 2023-11-6 17:23
加ring了吗？如果有的话可以把电阻变小或者减少根数再跑一下试试

环吗，有的我试试

HDZ980104 · 发表于 2023-11-6 17:36:24

HDZ980104 发表于 2023-11-6 17:25
环吗，有的我试试

不行，还是有，看他设计规则好像是要加什么层才能解决这个问题，但问题就在不知道加什么层

HDZ980104 · 发表于 2023-11-6 17:37:53

深圳华芯发表于 2023-11-6 17:26
我司专门做晶合的量产服务的有兴趣可以加我Wechat（hleove）phone（14775180119）我这边可以请我司工 ...

暂时没有量产需求可以帮忙解决这个DRC问题不

小浩然 · 发表于 2023-11-6 17:56:49

把那个器件单独领出来跑，看有没有问题，有的话应该就是尺寸取得不好

HDZ980104 · 发表于 2023-11-7 09:14:26

小浩然发表于 2023-11-6 17:56
把那个器件单独领出来跑，看有没有问题，有的话应该就是尺寸取得不好

是的原因是电阻尺寸大于规则限制范围

HDZ980104 · 发表于 2023-11-7 09:15:13

深圳华芯发表于 2023-11-6 17:52
您的PDK 71页有相关介绍

非常感谢

wesley_wan · 发表于 2023-11-7 09:21:45

1F是什么层次? 从已有的信息,我判断是1F 就是active area. 那这个就是 density问题,需要拉开resistot间距,然后插入1F dummy

HDZ980104 · 发表于 2023-11-7 14:24:23

wesley_wan 发表于 2023-11-7 09:21
1F是什么层次? 从已有的信息,我判断是1F 就是active area. 那这个就是 density问题,需要拉开resistot间 ...

是的基本上就是这样

[求助] 合肥晶合110nm工艺DRC问题