带隙基准的温漂和电源抑制

youngabin

最近遇到这种结构的BG，仿真发现预降压下来的电压（大概5V）是靠稳压二极管稳住NMOS栅极，受温度影响，会变化几百mV，VREF很难调，目前温漂大概15 PPM，不知道怎么优化了，有前辈做过这种结构嘛？15PPM是否够用？
还有一个就是这个稳压二极管一般稳在6V，但是输入电压最低是4.5，此时BG的电源电压只有3.3左右，用的6V管子，仿出来VREF（1.2V）最小只有1.17V左右，温漂接近60PPM。不太理解电源变化好几V的话，VREF真的可以基本不受影响嘛，如何改善电源影响？

YyuanRTs

理论上与电源无关，实际还是看具体设计嘛。
一阶结构温漂的下限是由BJT特性决定的，15ppm只能看你的场景是不是接受
至于电压太低的时候温漂高，那说明上面的稳压做得不好呗

yfchao2333

想看下你前面稳压模块怎么做的？
最近有看到一篇类似结构的带隙基准论文。

youngabin

yfchao2333 发表于 2023-10-27 17:20
想看下你前面稳压模块怎么做的？
最近有看到一篇类似结构的带隙基准论文。

大概就是这种，MOS栅极稳在6V左右，但是如果VIN太低，就会跟着降低，而且二极管本身就有一定的温度系数，会影响到栅极然后影响输出电压

zhanweisu33

有些时候，结构已经决定了最佳性能，还想提高，就得换结构

ic_vanne

学习了  我现在做的电路也是采用类似的降压结构来进行供电