CMOS工艺中，多晶硅为何可以作为源极、漏极电极引出的材料？

华梁苹 · 发表于 2023-9-24 20:35:56

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这是因为多晶硅与硅基材料的热膨胀系数相近，热稳定性好，还是因为掺杂多晶硅与衬底硅之间有更低的接触电阻，功函数比Al更低。我在网上没找到详细的解释，有人了解吗

adhylin · 发表于 2023-9-25 08:13:16

半导体基础里面有讲金属-半导体接触形成的异质结

PN_Allen · 发表于 2023-9-25 09:17:55

图有具体的出处吗？
MOS上采用的这个工艺应该很老了，感觉是七八十年代的工艺。

华梁苹 · 发表于 2023-9-25 11:31:56

行，我去看看
施敏的fundamentals of semiconductor fabrication第三章
是挺老的

GIDL · 发表于 2024-1-7 21:50:19

多晶硅虽然可以通过离子注入和salicide 降低电阻，但相比金属层阻值还是会大很多，会导致很大的压降，所以电路中会避免使用多晶硅作为连线，只有线绕不开的时候才会使用多晶硅

华梁苹 · 发表于 2024-1-24 16:21:50

这个是因为Al在硅衬底上有一定的溶解度，用Al做电极引出，会产生尖楔效应，也就是在Si中会产生毛刺，最长的毛刺可能会直接穿过有源区，所以用多晶硅做电极引出，形成较好的欧姆接触。正常互连肯定是能用金属尽量用金属。

iamshan · 发表于 2024-2-22 09:12:52

好像在现在的工艺中看不到了，我只在BCD工艺中见到过这样用poly连BJT，原因不大清楚

华梁苹 · 发表于 2024-3-1 14:40:36

确实，教材中的比较老，现在的工艺我也不清楚

[求助] CMOS工艺中，多晶硅为何可以作为源极、漏极电极引出的材料？