mos管栅极接电阻、栅源间接反向二极管作用？

Kayle · 发表于 2023-9-20 09:37:55

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如图SNLD60是高压管，demos。下边接的是电流镜。vldo是5v ldo输出电压

yjj_123 · 发表于 2023-9-20 10:55:24

PM3相当于二极管（体二极管，源端是N，漏端是P），R9是限流电阻，当高压管栅源电压过高导致该体二极管反向击穿，从而保护高压管不被损坏，而限流电阻用来保护该二极管不被大电流烧毁

Kayle · 发表于 2023-9-20 13:28:32

yjj_123 发表于 2023-9-20 10:55
PM3相当于二极管（体二极管，源端是N，漏端是P），R9是限流电阻，当高压管栅源电压过高导致该体二极管反向 ...

什么情况下源极电压会高于栅极呢。可以使二极管导通

ZHOUJIDONG · 发表于 2023-9-20 13:37:01

反向的mos diode，要被保护管的source电压比gate电压高会触发（S未建立还是高阻的时候会出现这种情况）。
这种过压都是电容couple起来的，应该积累的电荷不多，容易放。

Kayle · 发表于 2023-9-20 14:05:08

ZHOUJIDONG 发表于 2023-9-20 13:37
反向的mos diode，要被保护管的source电压比gate电压高会触发（S未建立还是高阻的时候会出现这种情况）。
...

是源极未建立的时候吗？源极接的是地电位

Kayle · 发表于 2023-9-20 14:06:01

ZHOUJIDONG 发表于 2023-9-20 13:37
反向的mos diode，要被保护管的source电压比gate电压高会触发（S未建立还是高阻的时候会出现这种情况）。
...

是不是跟这个高压管栅极接的ldo的5v输出有关，所以才做了这个保护，有的mos管就没有这么做。

ZHOUJIDONG · 发表于 2023-9-20 14:07:09

Kayle 发表于 2023-9-20 14:06
是不是跟这个高压管栅极接的ldo的5v输出有关，所以才做了这个保护，有的mos管就没有这么做。
...

应该是的，ldo的输出有过冲。

ZHOUJIDONG · 发表于 2023-9-20 14:08:48

Kayle 发表于 2023-9-20 14:05
是源极未建立的时候吗？源极接的是地电位

你可以跑瞬态，快上电，比如1ns上电，看看有diode和无diode时候的VGS波形。

yjj_123 · 发表于 2023-9-20 14:22:41

Kayle 发表于 2023-9-20 13:28
什么情况下源极电压会高于栅极呢。可以使二极管导通

是栅极高于源极电压超过5V，这个高压管栅源耐压最大值应该是5V，应该是高压管栅极电压有过冲

Kayle · 发表于 2023-9-20 18:04:26

ZHOUJIDONG 发表于 2023-9-20 14:08
你可以跑瞬态，快上电，比如1ns上电，看看有diode和无diode时候的VGS波形。
...

谢谢谢谢

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