ESD大佬基础知识点

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一文讲透全电放电（ESD）保护，ESD细讲学问太深了 - 凡亿教育的文章 - 知乎https://zhuanlan.zhihu.com/p/564940753

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一文看懂MOS器件的发展与面临的挑战|半导体行业观察 - 半导体行业观察的文章 - 知乎 https://zhuanlan.zhihu.com/p/27791383

PN_Allen

ESD那个已经看过好几次了，写的挺好的，有些东西是柯教授那个教材的。
就是现在都不知道原作者是谁

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ESD保护电路概述（3） - xianyunyehe的文章 - 知乎
https://zhuanlan.zhihu.com/p/315548129

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模拟IC笔记—ESD ggNMOS放电曲线 - Analog CMOS的文章 - 知乎
https://zhuanlan.zhihu.com/p/147736385

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1）LDD（lightly doped drain）轻掺杂漏极，也就是通常所说的source drain extension源漏扩展技术。由于高电压，重掺杂的（N+/P）（以NMOS为例）结的耗尽层中产生巨大的电场，故改变漏端结构能够根本性的作用，LDD技术就使原本重掺杂的N+突变结转变为缓变结，通过在漏及外侧包裹轻掺杂的N型杂质，形成N+N/P结，从而缓和电场强度，它能将最大场强降低30%~40%，使被加速的电子在单个自由程内获得相对较小的动能，从而减少“幸运”电子（空穴）的数量，达到保护栅极的作用

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整理了一些关于ESD基础知识的文章，相互交叉验证，解决了以前不清楚的知识盲点。
包括为啥要加SAB，以前只知道是有好处，怎么有好处的却不清楚，现在可以有更多的了解了。

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https://wenku.baidu.com/view/799 ... wkts_=1694141695817

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SAB = salicide blocking 一般都會在Drain, Source 端加上金屬矽化物 但是在ESD的情況下 如果沒有去除salicide (salicide很會導電)會讓ESD電流聚集在 drain 靠近 gate區 直接灌入 PN接面 會損毀此接面 造成損傷 因此要加SAB 讓整個Drain端當作第一崩潰點(snack back) PN面積大灌入大電流才能保護接面(用大面積之Drain端區域散熱與防止migration)

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没加SAB时，器件表面有层金属硅化物，电阻率很低，电流顺着表面走。加了SAB，电流顺着源漏走。