工艺求教： HV nwell

poly_lq · 发表于 2023-7-27 16:10:53

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工艺中高压（3V或者5V）well的implant是在普通nwell的基础上再进行离子注入的吗？

先做nwell还是先做hv nwell？
如果是提高反向击穿电压应该是减小掺杂浓度，如果是为了提高mos开启电压应该是加大浓度
那么到底这个高压well implant是增加还是减小nwell的浓度呢？

Alexander_Tang · 发表于 2023-7-27 16:24:20

你这个太笼统了。3v/5v在很多technology都是标注IO 口电压。
通常的HV well 会在normal WELL 之前做，以便吃更多的thermal budget，使得junction BV和leakge更加好一点。
通常HV WELL 会调节能量和剂量来制造更加缓变结。。

poly_lq · 发表于 2023-7-27 17:16:46

Alexander_Tang 发表于 2023-7-27 16:24
你这个太笼统了。3v/5v在很多technology都是标注IO 口电压。
通常的HV well 会在normal WELL 之前做，以便 ...

那么HV nwell的注入是N型还是P型呢

Encapsulation · 发表于 2023-8-8 08:48:51

poly_lq 发表于 2023-7-27 17:16
那么HV nwell的注入是N型还是P型呢

HV well是依据使用电压来分，和N/P type无关；无论是N/P都可以注成HV well；你这完全就是两个概念在这硬扯

Encapsulation · 发表于 2023-8-8 08:50:00

poly_lq 发表于 2023-7-27 17:16
那么HV nwell的注入是N型还是P型呢

另外，你自己都写出来HV Nwell了，你猜它是N还是P？？？？

[求助] 工艺求教： HV nwell

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