BG驱动能力相关问题

何难 · 发表于 2023-7-24 14:16:48

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图中的BG为了增大驱动能力增加了一个NMOS在最上面，其栅极由运放输出控制。请问为什么输出电流增大的时候，运放输出电压会增大，从而自适应增大流过最上面NMOS的电流呢？这个过程的原理是什么？

xuwenwei · 发表于 2023-7-24 15:42:54

你运放的正负是这样的吗

小怪兽YUCK · 发表于 2023-7-25 08:36:16

最上面是N管，正反馈>负反馈了吧

何难 · 发表于 2023-7-25 09:18:03

xuwenwei 发表于 2023-7-24 15:42
你运放的正负是这样的吗

确实，这个图画错了，op正负接反了。还是有同样的疑问，为什么输出电流变大，最上面的NMOS栅极电压会增大呢？这个过程要怎么分析呢？

何难 · 发表于 2023-7-25 09:19:43

小怪兽YUCK 发表于 2023-7-25 08:36
最上面是N管，正反馈>负反馈了吧

确实，这个图画错了，op正负接反了。还是有同样的疑问，为什么输出电流变大，最上面的NMOS栅极电压会增大呢？这个过程要怎么分析呢？

xuwenwei · 发表于 2023-7-25 09:30:10

就是输出电流变大，输出电压变低，然后运放正负端电压都会下降，但是由于一端电压下降的更多(自己想一下哪一端)，因此运放输出就会变大，然后输出电压会被拉回bg电压

何难 · 发表于 2023-7-25 14:52:02

xuwenwei 发表于 2023-7-25 09:30
就是输出电流变大，输出电压变低，然后运放正负端电压都会下降，但是由于一端电压下降的更多(自己想一下哪 ...

谢谢解答。思考了一下，BG负反馈系数大于正反馈系数，所以OP负端电压下降更多，导致OP输出电压增大

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