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[求助] IO中level shift 电路

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发表于 2023-7-8 11:15:48 | 显示全部楼层 |阅读模式

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本人最近在做IO电平转换电路,遇到以下问题:1、复现电路图发现从低电平转换成高电平时,该电路使用了两个转换器(如图1),明明一个就可以实现我所需要的avdd电压,这是为什么?2、两个由低到高的电路结构略有不同,一个是n管输入的level shift 另一个是p管输入,这两个有什么区别(如图2.3)?3、在进行level shift仿真时,除了进行他的瞬态仿真,还应该仿真什么参数,进而改进他?

屏幕截图 2023-07-08 110525.png 图1
2.png 图2
3.png 图3
 楼主| 发表于 2023-7-8 15:29:54 | 显示全部楼层
顶一个!!!
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发表于 2023-7-8 16:29:55 | 显示全部楼层
第一个实现转换成AVDD和DGND,第二个实现DGND到AVSS的转换
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 楼主| 发表于 2023-7-8 16:33:40 | 显示全部楼层


   
taiky520 发表于 2023-7-8 16:29
第一个实现转换成AVDD和DGND,第二个实现DGND到AVSS的转换


请问后两个图有什么区别
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发表于 2023-7-9 00:46:46 | 显示全部楼层
(1) 第一个实现转换成AVDD和DGND,第二个实现DGND到AVSS的转换
DGND/AVSS 可以短暂是不同的电压
(2) 第一个 DGND 假设稳定   第二个 AVDD 假设稳定
(3) delay, max DGND/AVSS delta, average AVDD current
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发表于 2023-7-9 09:52:56 | 显示全部楼层
楼上说得对,观察要仔细
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发表于 2023-7-10 00:31:52 来自手机 | 显示全部楼层
你自己都说了这个是从低电压往高电压转换,所以你觉得第一级应该用pmos还是nmos呢?另外就是因为刚提到的,用了nmos,本质上第一级还是在dvdd 域内,这个信号还是参考到dgnd。 不觉得和dgnd,agnd区别有关。 你这里要关注的是在一些skewed工艺角下能否完成转换,尤其是高速情况。
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 楼主| 发表于 2023-7-10 10:26:29 | 显示全部楼层


   
esbwong 发表于 2023-7-9 00:46
(1) 第一个实现转换成AVDD和DGND,第二个实现DGND到AVSS的转换
DGND/AVSS 可以短暂是不同的电压
(2) 第一个 ...


感谢感谢
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 楼主| 发表于 2023-7-10 10:27:30 | 显示全部楼层


   
zhanweisu33 发表于 2023-7-9 09:52
楼上说得对,观察要仔细


谢谢哈
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 楼主| 发表于 2023-7-10 10:38:03 | 显示全部楼层


   
icdane 发表于 2023-7-10 00:31
你自己都说了这个是从低电压往高电压转换,所以你觉得第一级应该用pmos还是nmos呢?另外就是因为刚提到的, ...


您好,就是第一个转换成AVDD和DGND 用的时N管输入。第二个将DGND转换成AVSS 用的是P管输入。我还是没太搞清楚这两种类型输入具体区别在哪?需要大佬指教。还有对于高速问题,该考虑各个模块的设计呢??谢谢谢谢谢谢
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