为什么这种运放结构可以增大基准的PSR

一叶方舟

                               
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带隙电压电路中的运放采用了三级运放的特殊结构，以获得良好的电源抑制特性,对传统的ＰＭＯＳ管输入两级运放来说，电源到运放输出端的低频增益很小。文章中说该运放是在传统两级运放的基础上又加上了一级共源极放大器，该共源级的负载是二极管连接的ＭＯＳ管。这样可以增大电路的PSR，这是什么原因呢？有大神可以解释一下吗

一叶方舟

   

xuwenwei 发表于 2023-6-25 09:39
一般增益越大，psr越好

好的，谢谢大佬

模拟IC_小学生

兄弟，文章发出来看看

一叶方舟

   

模拟IC_小学生 发表于 2023-6-25 11:08
兄弟，文章发出来看看

就是一篇普通的硕士论文，知网上可以搜到，《一种无电容型 LDO的设计和典型运算放大器的研究》，欢迎兄弟来跟我讨论

模拟IC_小学生

   

一叶方舟 发表于 2023-6-25 11:14
就是一篇普通的硕士论文，知网上可以搜到，《一种无电容型 LDO的设计和典型运算放大器的研究》，欢迎兄弟 ...

感觉加了一级，上面是个二极管连接的管子，增益也没提升多少

aznsj

M4 output is refered to gnd, and connected to M6 which is also referred to gand. and M6's output is connected to M8, so every stage is NMOS, this means in case you have supply noise and gnd noise go opposite direction , you are still ok.

一叶方舟

   

模拟IC_小学生 发表于 2023-6-25 11:33
感觉加了一级，上面是个二极管连接的管子，增益也没提升多少

这么一说好像确实是这样，兄弟你能看明白吗？能不能帮忙解释一下

ol0930

因为最后一级的负载是二极管连接的pmos。

当电源VDDA出现ripple的时候，M9的D端通过受到的电源ripple影响为k*VDDA，k=rds8/(1/gm9+rds8)≈1

而运放输出（M9的D端）连接接带隙的PMOS电流源的G端。

这样在电源出现ripple的时候，带隙的PMOS电流源G端和S端会有同向的电压变化。

理想情况下，G端和S端完全相同，电源ripple不通过跨导影响PMOS电流源的电流。

ol0930

   

aznsj 发表于 2023-6-25 11:35
M4 output is refered to gnd, and connected to M6 which is also referred to gand. and M6's output is  ...

But do noise from gnd and noise from power always have the  same direction ?

ToDai

   

xuwenwei 发表于 2023-6-25 09:39
一般增益越大，psr越好

什么道理啊？难道不应该分析电源到输出端的路径吗