ESD设计的入门与提高

虚无之泡 · 发表于 2023-8-16 10:28:49

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凌一五八 · 发表于 2023-8-22 15:57:46

路漫漫其修远兮

喜东东 · 发表于 2023-8-25 16:53:49

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zhangyp · 发表于 2023-9-16 20:04:32

各位大佬，有人能帮我看看吗？我这边设计的一个版图正好出现了如主题讨论的问题，我是做的一个OUTPUT的PAD，这个PAD只有NMOS，没有PMOS接输出；这里的输出NMOS的GATE我都接在一起，我确定很良好的接在一起了，就是GATE一出来我就用一铝还是比较宽的一铝给连起来了，然后接内部电路的输出；而且因为这个是功率管输出，所以我只敢拉大D和G的间距，不敢在上面加SAB，担心SAB电阻过大，影响输出效果；但是现在产品做出来了，只能有HBM大约不到250V的耐压，太差了，然后打坏的地方我们照了下，发现是功率管的中间管子的一部分给击穿短路了；这个短路还引起我的Source端的孔都烧糊了；我没有拉大S和G的间距，但是不清楚为什么会烧这个电阻小的地方，那个拉宽的D-G似乎没问题；现在最大的问题是如何让这个大NMOS能同时打开呢，现在问题是我虽然gate用1铝很好的连再一起了，但是似乎还只是中间两个管子导通，旁边的管子似乎都在那边围观，不做救援，但是这个GATE是接内部的电路，我没法去修改他，或者难道我该故意躲绕点线，需要刻意这么做吗？我现在没办法了，MASK已经做好了，我想是不是先改一层sab层看看效果？但是加了SAB之后对功率管的输出有影响呀！而且现在实际出来的情况不是D和G之间的问题，而是SOURCE这边的问题，唉，我茫然了，没有确定的办法了。恳求给位ESD高手指点；