工艺问题咨询

wcy2012noe

有没有哪个BCD工艺，有5V普通mos，VDS和VGS同时耐高压的LDNMOS器件？最近想找个满足这种工艺的，之前用的VIS的0.4um的工艺不行

xuwenwei

VIS 不是有耐高压的工艺吗 正负16V的 不过普通的mos好像不是5V的是7V左右的

wcy2012noe

xuwenwei 发表于 2023-6-8 16:24
VIS 不是有耐高压的工艺吗 正负16V的 不过普通的mos好像不是5V的是7V左右的

之前用的Vanguard的.4um工艺，Driver尺寸太大了，20VDS的，发现它使用的是普通的高压管，想找个LDMOS的

andy2000a

1.  umc 025  bcd3
ldmos  g5 d40v  , g5 d60   
hv mov  vgs=18 vds=18v   demos  d18 g18
support g5d40 g5d60 , g18d18   

2. umc 018bcd

ldnmos  g1 g2 e1 e2
special device  24v fdmos  <-> conflict some ldmos  ..

BCD 都是 vgs =5v (某些有g25  g18   但多数5v vgs )  ,    高压HV  gate , high volt  vgs 是HV  process  (driver chip use )  通常不会跟 BCD 一起  .

  hv process  pos/neg voltage , psub = negative voltage

BCD  psub =0v  not support negative ..

同时有ldmos  + hv gate  hv mos  process  相当少见

你要高压  又 LDMOS 要开发PMIC  ??

wcy2012noe

andy2000a 发表于 2023-6-9 12:14
1.  umc 025  bcd3
ldmos  g5 d40v  , g5 d60   
hv mov  vgs=18 vds=18v   demos  d18 g18

背景就是之前使用Vanguard的0.4um工艺，在设计dirver时，发现PMOS的source电流指标需要2A，然后仿真定尺寸，发现w=40mm，L=3um，分析后，（1）觉得是L过大导致的，所有想找L小的工艺，（2）非DMOS类型的，就是普通的高压管ap20g20d的，现在考虑换工艺。
最后想找点LDMOS资料看看，

andy2000a

wcy2012noe 发表于 2023-6-9 17:00
背景就是之前使用Vanguard的0.4um工艺，在设计dirver时，发现PMOS的source电流指标需要2A，然后仿真定尺 ...

0.4    0.35  都比较老, 要推大电流往0.25  0.18 找吧  . VIS有0.25um BCD , ldmos 到 2A 你得 0.18um 0.25um BCD , 但是 , BCD 是没高压 gate , 你用在哪类产品?  一般 HV gate 是 HV 跟BCD 不同平台的. 要LDMOS   就没纯高压HV MOS  .  0.4um 怎会 选 L=3um ??  ldmos  L 会 fix length  但 L 小很多, 除非 controltype 用在LDO ?

BCD 需特别处理gate 耐压问题的, 另外bcd 有些分control type or  switch ,  VIS 某些相对比较多,  U家就少很多,  TSMC 则看哪一个厂 ,BCD 要control  /switch 多些使用弹性才大.  

wcy2012noe

andy2000a 发表于 2023-6-12 08:45
0.4    0.35  都比较老, 要推大电流往0.25  0.18 找吧  . VIS有0.25um BCD , ldmos 到 2A 你得 0.18um 0. ...

emm,在做DCDC控制器，最后一级driver采用PMOS+NMOS驱动，输出sink和source电流，输出的Ugate为22V-12V的方波信号,所以Driver的栅极需要12V或者20V的高压管，当前vanguard的0.4um工艺最小L：P为3um，N为2.5um，这样驱动相同的电流，面积就非常打，w要取到40mm，想着用小的L，如1.5um，2um这样的工艺

andy2000a

wcy2012noe 发表于 2023-6-12 11:07
emm,在做DCDC控制器，最后一级driver采用PMOS+NMOS驱动，输出sink和source电流，输出的Ugate为22V-12V的 ...

在做DCDC控制器，最后一级driver采用PMOS+NMOS驱动，输出sink和source电流，输出的Ugate为22V-12V的方波信号,所以Driver的栅极需要12V或者20V的高压管，当前vanguard的0.4um工艺最小L：P为3um，N为2.5um，这样驱动相同的电流，面积就非常打，w要取到40mm，想着用小的L，如1.5um，2um这样的工艺
=>

外推MOS   22-12v ?  其实是可用ldmos 做到输出 0~ 22v  .  

wcy2012noe

andy2000a 发表于 2023-6-12 12:49
在做DCDC控制器，最后一级driver采用PMOS+NMOS驱动，输出sink和source电流，输出的Ugate为22V-12V的方波 ...

（1）是的，想看看有木有栅极支持18V，20V的LDMOS工艺，我知道大部分LDMOS的gate是低压，但应该也有些栅压为18V，或者20V的LDMOS
（2）不知道CSMC的0.18um，Vanguard的0.25um工艺，有木有高压最小L为1.5um，1um这样的普通高压管，或者高栅压LDMOS高压管

andy2000a

wcy2012noe 发表于 2023-6-13 09:15
（1）是的，想看看有木有栅极支持18V，20V的LDMOS工艺，我知道大部分LDMOS的gate是低压，但应该也有些栅 ...

1）是的，想看看有木有栅极支持18V，20V的LDMOS工艺，我知道大部分LDMOS的gate是低压，但应该也有些栅压为18V，或者20V的LDMOS
=> umc 0.25 bcd

      umc 0.18 bcd


但应该也有些栅压为18V，或者20V的LDMOS
=> 很少 ldmos  + 栅压为高压 ,   很少   很少   ...

栅压为高压都是DDDmos , or FDmos (field drift ) , but ,  很少看到 .  

BCD 跟 高压栅压 HV_MOS 是不同平台 .不会同存.  

（2）不知道CSMC的0.18um，Vanguard的0.25um工艺，有木有高压最小L为1.5um，1um这样的普通高压管，或者高栅压LDMOS高压管

没用过csmc bcd ,    VIS BCD 找 0.25um Lmin 小  阿 ,  不过是switch type , VIS BCD  ldmos  只有 low vgs 5v , high drian ldmos ,  

你如看到BCD 如果L 大的,那应该高压  或是很早期 BCD process , 有些BCD mos 没分 control /switch type  , 现在 ldmos 都有 switch type L会小很多 ..

BCD or HV 请找 VIS 吧 ..