工艺问题咨询

haoren007 · 发表于 2023-6-15 10:10:45

推荐华虹宏力的BCD350GE工艺，0.35um制程，高压到40V

wcy2012noe · 发表于 2023-6-19 09:29:33

andy2000a 发表于 2023-6-14 12:49
1）是的，想看看有木有栅极支持18V，20V的LDMOS工艺，我知道大部分LDMOS的gate是低压，但应该也有些栅压 ...

经过调研，使用VIS 0.5um的工艺，高压管5g16d，16g16d,NMOS最小L=0.35um(an5g16d1,an16g16d1，LDNMNOS)，PNMOS最小L=1um(ap5g16dn2,DDDPMOS）PMOS最小L=1.2um（ap16g16d，DDDPMOS)

andy2000a · 发表于 2023-6-19 12:37:41

wcy2012noe 发表于 2023-6-19 09:29
经过调研，使用VIS 0.5um的工艺，高压管5g16d，16g16d,NMOS最小L=0.35um(an5g16d1,an16g16d1，LDNMNOS)， ...

使用VIS 0.5um的工艺，高压管5g16d，16g16d,NMOS最小L=0.35um(an5g16d1,an16g16d1，LDNMNOS)，PNMOS最小L=1um(ap5g16dn2,DDDPMOS）PMOS最小L=1.2um（ap16g16d，DDDPMOS)

??

你有 L=0.35um 怎会是 0.5um BCD 工艺

应该说多数 BCD 的 ldmos 都从 5v 衍生过去 5g16d , vgs=5v vds=16v

16g16d 就 thick gate 16v ,

DDDmos 跟 LDMOS 是不同的mos

DDDmos 一般分 asym非对称 sym对称这两大类

LDMOS 分 LDPMOS LDNMOS , ldnmos 又分 hig -hside , low-side

Ldmos 又分 control type , switch type , 还有些switch type 还分不同rds_on 有不同代　

另外LDMOS 有没 vgs=1.8 or 2.5v thin gate ldmos ??

好像看过一些都5v gate

wcy2012noe · 发表于 2023-6-20 10:47:29

andy2000a 发表于 2023-6-19 12:37
使用VIS 0.5um的工艺，高压管5g16d，16g16d,NMOS最小L=0.35um(an5g16d1,an16g16d1，LDNMNOS)，PNMOS最小L ...

目前接触到的LDNMOS，有的gate端是高压20V，18V，有些gate端是5V，L有可调的，有不可调的

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