顶层drc的LUP.1/.2/.3/.5的错误

ic初学菜鸡

LUP.1 { @ Any N+ OD injector or an N+ OD injector cluster connected to an I/O pad must be surrounded by a P+ guard-ring.
        @ Any P+ OD injector or a P+ OD injector cluster connected to an I/O pad must be surrounded by a N+ guard-ring.
LUP.2 { @ Within 15 um space from the OD injector connected to an I/O pad, a P+ guard-ring is required to surround an NMOS or an NMOS cluster. And an N+ guard-ring is required to surround a PMOS or a PMOS cluster.
LUP.3.1.1 { @ If all of guard-ring width >= 0.2 um (e.g. width of guard-ring of LUP.1) >= 2
LUP.5.1.2 { @ If one of guard-ring width < 0.2 um (e.g. width of guard-ring of LUP.1 and LUP.2) >= 3
都是数字部分（IIC）直接与IOpad相接的mos报的错，整个数字部分（IIC）外面打了N+和P+保护环，但还是有错，也不可能在数字部分里面打保护环（自动生成的），怎么解决这个问题呢，大神求助谢谢！！

fengrlove

drc
验证文件里的power text和pad  pad text都填了么

雷罡iclayout

lvs过了吗？若是没有连接错误，针对AAIO的OD injector其lup风险还是很大的

pppzuishuai

可以与电路沟通一下不要直接连到io pad，串一个电阻在连接

ic初学菜鸡

fengrlove 发表于 2023-6-7 13:23
drc
验证文件里的power text和pad  pad text都填了么

没有，不过这个是识别PAD的吗

cherry_li

”都是数字部分（IIC）直接与IOpad相接的mos报的错“
LU主要就是查与IO pad直连的device附近的物理距离或者GR有没有符合要求。从你的描述看似乎确实存在LU风险啊。数字部分最好不要直接接PAD

ic初学菜鸡

cherry_li 发表于 2023-6-7 15:57
”都是数字部分（IIC）直接与IOpad相接的mos报的错“
LU主要就是查与IO pad直连的device附近的物理距离或者 ...

我数字部分输出加一个BUFFER再连PAD可以吗

cherry_li

ic初学菜鸡 发表于 2023-6-7 16:34
我数字部分输出加一个BUFFER再连PAD可以吗

那就是这个buf需要按照IO ESD&LU 要求画。你的IO 只是一个PAD吗？正常一个IO 应该是带ESD且包含输入/输出电路的。你只需要将你的数字输出接到IO 的驱动部分的输入端即可。

ic初学菜鸡

cherry_li 发表于 2023-6-7 17:47
那就是这个buf需要按照IO ESD&LU 要求画。你的IO 只是一个PAD吗？正常一个IO 应该是带ESD且包含输入/输出 ...

谢谢回答，我准备串一个电阻试试

wingofray

I2C的话，P管N管分开放，加双保护环，而且关键的要做好drain extension（DCP），并同时增加silicide block层，增加drain端的电阻，以作为二级防护防止latchup，再和电路沟通下能不能串个小电阻，esd/lup报错其实也可以和电路讨论做waive的，有些要求比较苛刻，动不动间距要求30um，有些面积紧张的片子想全满足esd/lup rule有难度，如果就2kv其实很多时候都可以偷偷面积，当然需要前端经验，最好同工艺之前验证过了，或很懂lup机制，也敢于take risk