Calibre提取寄生电容C的问题

选手实力非凡

   

howardf 发表于 2023-5-26 17:14
这个寄生实际不存在，应该用衬底阻抗网络(RC并联)取代图中net1和net2之间的寄生。
我认为产生这类问题的原 ...

是的，抽取工具方法需要改近

MasakaZ

最近也遇到了这个问题，蹲其他解答

选手实力非凡

   

MasakaZ 发表于 2023-8-17 20:04
最近也遇到了这个问题，蹲其他解答

可以把版图分成几个部分，这几个部分分别做pex，按照楼上的方法将衬底改成不同的全局网络名称，最后在原理图上加上衬底互连效应（电阻和电容的并联，具体值需要根据工艺来计算，可以用SOI自带的水平衬底模型）。

维维胃

您好我有一个问题 我看到过一个说法是漏源电容Cds可以视为漏极和源极跟衬底的电容的串联 （Cdb串Csb）是不是就是您这个问题中直接将两个电容短接的情况？ 这个说法对不对？

选手实力非凡

   

维维胃 发表于 2023-9-4 20:53
您好我有一个问题 我看到过一个说法是漏源电容Cds可以视为漏极和源极跟衬底的电容的串联 （Cdb串Csb）是不 ...

对于单个mos管来说，这个衬底等效电阻值很小，基本可以忽略，我认为这个说法是对的

confiope

这是不好解决的问题，遇到类似的，还没办法

No-one

net0默认的是衬底。提取C的时候，会产生对衬底的电容。在产生的PEX文件里，net0只是将许多这样的C的一端连接起来了，但是net0是处于悬空的。理论上会造成仿真结果的不准确。
PEX提取的时候，将ground的名字命名为模块的地，确实可以将net0改为模块的地，这样就不是悬空状态了。但这样不知道准确不，相当于这些对衬底的电容，都改成对模块的地了！

yuwm0815

可以采用layout里的虚拟local衬底层，将不同处的金属层的sub分开，那么每处金属的寄生是到local的衬底而不是global的衬底，也就不会出现你说的都为0然后连到一起。

LiYingMing

   

选手实力非凡 发表于 2023-9-5 11:20
对于单个mos管来说，这个衬底等效电阻值很小，基本可以忽略，我认为这个说法是对的 ...

楼主，这个寄生电容的影响对于流片实测表现如何，有没有什么改善方法，或者可以通过仿真设置去更贴合实际情况

选手实力非凡

   

LiYingMing 发表于 2024-5-16 15:59
楼主，这个寄生电容的影响对于流片实测表现如何，有没有什么改善方法，或者可以通过仿真设置去更贴合实际 ...

1 这个电容实际没有这么大，主要是跟工艺关系比较大；
2 选择高阻衬底的硅工艺能够减小这个寄生电容的影响；
3 SOI工艺一般有相应的水平衬底模型和垂直衬底模型辅助仿真。