关于esd管子

ztstg2018

   

xwa 发表于 2023-11-8 11:41
感谢解答，但还有一个小疑问，就是加在D上加的SAB层相当于盖了一层silicide block，相当于增大了电阻，这 ...

我感觉是因为GGNMOS泄放电流是的瞬态过程，栅极也会影响ESD的泄放，有的GGNMOS栅极就串有电阻，因为ESD泄放过程中通过CGD寄生电容会拉高栅极电压，MOS短时间导通泄放ESD电荷，这只是其中的一个泄放机制，所以，如果S端增加电阻，那就在瞬态中形成源极负反馈，使VGS减小，阻碍了ESD电流，但是ESD最初阶段还是寄生NPN的BC结击穿的开启机制，

xwa

   

ztstg2018 发表于 2023-11-8 20:31
我感觉是因为GGNMOS泄放电流是的瞬态过程，栅极也会影响ESD的泄放，有的GGNMOS栅极就串有电阻，因为ESD泄 ...

好的，感谢解答。问了一下同事，给出了另一个视角的解释：不管是P管还是N管，只在G和D之间加入SAB的原因是在没有触发寄生的BJT之前，大部分的电压其实降落在D下面的那个反偏的PN结上，为了增加抗压能力，所以需要在这个地方加入SAB，因为S端下面的PN结是正偏的，在GGNMOS模式下降落的压降比较小，所以不用加SAB。

xwa

   

xwa 发表于 2023-11-10 09:57
好的，感谢解答。问了一下同事，给出了另一个视角的解释：不管是P管还是N管，只在G和D之间加入SAB的原因 ...

GSPMOS和GGNMOS的截面图

ztstg2018

   

xwa 发表于 2023-11-10 09:57
好的，感谢解答。问了一下同事，给出了另一个视角的解释：不管是P管还是N管，只在G和D之间加入SAB的原因 ...

这个寄生BJT的BC结也就是这个漏端寄生体二极管，一些工艺没有SAB层，所以会在D端串个二三百欧的电阻，，

xwa

   

ztstg2018 发表于 2023-11-10 13:23
这个寄生BJT的BC结也就是这个漏端寄生体二极管，一些工艺没有SAB层，所以会在D端串个二三百欧的电阻，，
...

明白了，感谢解答

18800261604

   

xwa 发表于 2023-11-8 11:41
感谢解答，但还有一个小疑问，就是加在D上加的SAB层相当于盖了一层silicide block，相当于增大了电阻，这 ...

因为D端直接接触ESD电流，SAB是为了保护D端不收大电流冲击，同时也是让电流更加均匀

xwa

   

18800261604 发表于 2023-11-22 14:56
因为D端直接接触ESD电流，SAB是为了保护D端不收大电流冲击，同时也是让电流更加均匀
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好的，感谢解答