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EETOP 创芯网论坛 (原名：电子顶级开发网)»论坛 › IC 设计及制造（半导体、微电子） › Analog/RF IC 设计 › Analog/RF IC 设计讨论 › 一个设计方案的可行性
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查看: 1758|回复: 5

[求助] 一个设计方案的可行性

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惊尘绝世语
发表于 2023-5-18 13:02:52 | 显示全部楼层 |阅读模式

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各位前辈，我现在正在做一个项目，需要用到一个运放，目前的设计要求是VDD=1.2V，任意工艺角任意输入电压下A>=63dB,BW>=300MHz,静态电流3mA，负载电容是30fF，总的MOS管宽度不大于20um，轨对轨输入，现在用的UMC55的工艺做级联运放，第一级轨对轨是用衬底输入实现的，用的二极管负载接法，不知道这样可不可行，或者有没有其他更好的解决方法？
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wkp1992101
发表于 2023-5-18 13:24:01 | 显示全部楼层
衬底输入的话，衬底能接任意电压吗？
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惊尘绝世语
 楼主| 发表于 2023-5-18 13:36:27 | 显示全部楼层


wkp1992101 发表于 2023-5-18 13:24
衬底输入的话，衬底能接任意电压吗？


可以的，已经做过一个了，前仿i可以实现轨对轨的输入
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Bayamx
发表于 2023-5-18 14:17:24 | 显示全部楼层
GBW=300GHz吗，这用什么来保证呀
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wkp1992101
发表于 2023-5-18 18:22:51 | 显示全部楼层


惊尘绝世语 发表于 2023-5-18 13:36
可以的，已经做过一个了，前仿i可以实现轨对轨的输入


不会漏电？正常nmos衬底接了高压或者pmos衬底接了低压都会漏电吧

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惊尘绝世语
 楼主| 发表于 2023-5-22 10:52:21 | 显示全部楼层


wkp1992101 发表于 2023-5-18 18:22
不会漏电？正常nmos衬底接了高压或者pmos衬底接了低压都会漏电吧


漏电确实很严重，但是因为电压太低暂时没想到还有啥轨对轨结构能用，类似于三倍电流镜这种经典的轨对轨结构很容易因为输入共模电压的变化导致后面的管子不饱和，大佬有啥推荐没？
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