电源管理芯片中欠压门限看瞬态还是DC直流（凌特芯片）。

gala8

小弟在仿真凌特的电源管理芯片中退出欠压和进入欠压的电压值时发现一个问题。

芯片手册上说，VIN上升退出欠压保护和VIN下降进入欠压保护信号的电压分别是3.4V，3.3V。
而我通过DC仿真时没发现有100mV的迟滞。
而仿真瞬态的时候，由于上电时间的不同，会对翻转门限有较大的影响。（因为有的地方特意加了电容来调节电平翻转时间）
那上电时间不同，翻转门限就不同，那到底那个上电时间是可以有参考价值的呢？
还是说进入和退出欠压就是看DC仿真，忽略那点电容的影响。

希望能有做过凌特电源芯片的大佬给小弟指点一下，感激不尽

vincentwjw

瞬态不同是因为delay引起的偏差不一样。