东部018 高压BCD工艺，在使用DTI的IO/ESD的GRring怎么加

A565417449

背景：东部018 120V高压BCD工艺（带DTI隔离）（工艺库编号181abd18ba）中，我需要对连接PAD的二极管的加GRring
前提：东部确认回复GR加在DTI内部


电路：二极管NEG接PAD，POS接地

                               
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DTI器件的designrule：

                               
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二极管剖面图：num=2【注：POS和NEG对调一下，标反了】

                               
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我自己尝试在DTI内部加PTAP GRring后的剖面图【注：POS和NEG对调一下，标反了】

                               
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结果：自己加的环会报错，可能是我的问题，也可能是东部这个DTI option做的不好，有没有老哥做过东部DTI工艺的，求帮助给点建议，谢谢

A565417449

powerboy711 发表于 2023-5-6 09:08
因为是esd器件，接法应该是一样的。为了检查LU rule 所以我做了两个ESD接不同的pad, drc版本不确定啊。
...

东部回复了，是他们DTI option的漏洞，会在下一次PDK更新时优化掉；

PS：guardring确实是加在DTI外面，他们之前多次邮件回复guardring是加在DTI里面都是回复错误的；

powerboy711

A565417449 发表于 2023-4-28 09:11
有DRC错误的，要我自己再加

常规处理方式不是在NBL外加GR才行吗，才有收集效果，但是这个工艺DTI必须和N ...

我试了一下，直接调用edio_p_100，把环改成带dti的不报错啊，你报的是什么错误？

打散后可以再dti环里加p+sdpw ring 不能带GR层，我也觉得加这个环没什么用。

fishir

感觉是不是他们自己理解错了，从DR里看是PTAP GR是要加在DTI外面啊，感觉DR图不会画错吧

A565417449

fishir 发表于 2023-4-27 15:59
感觉是不是他们自己理解错了，从DR里看是PTAP GR是要加在DTI外面啊，感觉DR图不会画错吧 ...

是的啊，之前按图理解GR在DTI外面，但是也有LUP DRC问题误报，然后我们就去问工厂。工厂2次邮件都是确认回复，PTAP GR在DTI内部，我们自己的GR加错了，还说我们没认真看D&M

A565417449

fishir 发表于 2023-4-27 15:59
感觉是不是他们自己理解错了，从DR里看是PTAP GR是要加在DTI外面啊，感觉DR图不会画错吧 ...

而且它D&M里面又描述说GR在DTI内部

                               
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powerboy711

DB的意思是不是PDK已经加过了ring了，不需要额外再加ring， 你直接调用EDIO跑drc有错误么？

A565417449

powerboy711 发表于 2023-4-28 08:37
DB的意思是不是PDK已经加过了ring了，不需要额外再加ring， 你直接调用EDIO跑drc有错误么？ ...

有DRC错误的，要我自己再加

常规处理方式不是在NBL外加GR才行吗，才有收集效果，但是这个工艺DTI必须和NBL相切，然后GR又必须放DTI里面，所以有点想不通啊

A565417449

powerboy711 发表于 2023-4-28 09:47
我试了一下，直接调用edio_p_100，把环改成带dti的不报错啊，你报的是什么错误？

打散后可以再dti环里加 ...

这个器件的NEG连PAD了吗

powerboy711

A565417449 发表于 2023-4-28 13:21
这个器件的NEG连PAD了吗

是的，加了pad和pin

A565417449

powerboy711 发表于 2023-4-28 13:48
是的，加了pad和pin

我的报错：

                               
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应该是我们的option不一样吧，你有些检查没开：

                               
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