高压高Vhold的SCR结构讨论

PN_Allen · 发表于 2023-6-13 10:37:17

好帖留名，2楼那个资料是柯明道那本吗

fj0510 · 发表于 2023-9-18 16:50:13

提供一些思路和需要注意的要点：
1、SCR进入snapback和退出snapback的曲线是有区别的，触发时的Ih/Vh和退出时的Ih/Vh是不同的。在设计时需要注意这个特性对ESD窗口的影响。
2、目前大部分文章是针对TLP激励下的Vh，除了常见的增加SAC和stack思路以外，还有通过引入垂直电场对大注入区电场分布优化提高维持电压的。

ICESD最强打工人 · 发表于 2023-10-12 16:24:06

ESD窗口这么窄，为什么不考虑用PNP？这种high holding SCR器件只考虑结构变化，不考虑低压堆叠，很难实现。

fei_SH · 发表于 2023-10-17 08:23:28

ICESD最强打工人发表于 2023-10-12 16:24
ESD窗口这么窄，为什么不考虑用PNP？这种high holding SCR器件只考虑结构变化，不考虑低压堆叠，很难实现。 ...

PNP Vt2 一般比较高，另外一个是面积比较大。

hijackerhaha · 发表于 2023-10-26 10:54:32

这个有资料详细介绍么？谢谢！

hijackerhaha · 发表于 2023-10-26 10:55:22

很多高压接口产品都是等着这个呢

erick3077 · 发表于 2023-12-7 20:01:55

fj0510 发表于 2023-9-18 16:50
提供一些思路和需要注意的要点：
1、SCR进入snapback和退出snapback的曲线是有区别的，触发时的Ih/Vh和退出 ...

请问退出snake back 的曲线如何测试或者评估？

fei_SH · 发表于 2023-12-8 11:27:47

fj0510 发表于 2023-9-18 16:50
提供一些思路和需要注意的要点：
1、SCR进入snapback和退出snapback的曲线是有区别的，触发时的Ih/Vh和退出 ...

好建议，找机会开发点结构流片试试看。

fj0510 · 发表于 2023-12-29 11:06:00

erick3077 发表于 2023-12-7 20:01
请问退出snake back 的曲线如何测试或者评估？

先使SCR进入骤回状态，再逐渐降低电流大小，直到其退出骤回状态

Wzx_imos · 发表于 2024-1-24 13:29:30

fj0510 发表于 2023-9-18 16:50
提供一些思路和需要注意的要点：
1、SCR进入snapback和退出snapback的曲线是有区别的，触发时的Ih/Vh和退出 ...

请问这个SAC和Stac是指的什么呢？小白没看懂，还请大佬指教一下。

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