请教一下关于电阻BV的问题，RNMTG及RPMTG。

wanlight · 发表于 2023-3-18 13:49:20

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RT，在28nm下采用RNMTG及RPMTG时，瞬态仿真的warning提示Vr=-0.9V，Bv_max=0.0539V。这样流片会有问题吗？有没有遇到过类似问题的，Poly Metal Gate电阻的击穿特性这么差吗。有没有大佬指点指点。

chasefeng · 发表于 2024-7-8 16:11:01

请问会有问题吗，我也遇到这个问题了

wanlight · 发表于 2024-7-11 09:02:57

chasefeng 发表于 2024-7-8 16:11
请问会有问题吗，我也遇到这个问题了

应该是仿真收敛性的问题。不用太担心

semico_ljj · 发表于 2024-7-11 11:01:36

poly电阻，耐压值都有7～9V以上

chasefeng · 发表于 2024-7-11 14:12:32

wanlight 发表于 2024-7-11 09:02
应该是仿真收敛性的问题。不用太担心

哦哦那实际这个地方的bv_max应该还是比较大的吧？

blackspeed · 发表于 2024-7-11 17:03:39

看工艺的EDR或者问foundry，如何和MOS的metal gate 的BV一样，那就用起来要小心。如果是专门的金属电阻，BV会高一点。

[求助] 请教一下关于电阻BV的问题，RNMTG及RPMTG。