EEPROM和FLASH用起来有什么差别？

istart_2002

EEPROM和FLASH用起来有什么差别？擦写次数是flash的10倍？写时间比flash慢100倍？功耗比是flash的28倍？还有别的差别么？

sprlove

   

istart_2002 发表于 2023-3-17 10:05
读写时间、功耗，还有面积 有什么优劣么？

flash：读写时间快，功耗大（写功耗跟操作方式有关系，比如HCI还是FN/BB隧穿），cell面积小，但mask层数多；适用于较大容量存储器，以面积成本抵消mask成本；

ee：读写时间慢，功耗低（写一般采用FN隧穿，所以写功耗不高，读功耗其实跟接口速度有关，ee一般接口频率偏低，相同接口频率下和FLASH read功耗相差不大），mask层数少，单个cell面积大（比如<128KB，适用于小容量以及可靠性较高场景（比如<128KB）；

sprlove

BYTE改写

istart_2002

   

sprlove 发表于 2023-3-15 11:52
BYTE改写

BYTE改写怎么？

sprlove

   

istart_2002 发表于 2023-3-15 14:29
BYTE改写怎么？

flash只能整个page擦了之后，才能写入新数据；eeprom可以直接对单个byte进行数据擦除后，写入新数据，page其他地址数据保持不变；

istart_2002

   

sprlove 发表于 2023-3-15 15:52
flash只能整个page擦了之后，才能写入新数据；eeprom可以直接对单个byte进行数据擦除后，写入新数据，pag ...

读写时间、功耗，还有面积 有什么优劣么？

503860720

andy2000a

Eeprom 和 flash 工艺不同 ,

操作不同

eeprom 多数1bit  1bit 烧写,

flash 都是一个bank(page) 很多 512byte /1K  .

至于更小 bank (page) , 有些透过技巧 . 先copy 到空白.写, 在盖过去, flash 有分5v/12v .nand/ nor type

其他还有feRam  MRAM ..只是相对工艺 少见