为什么有些IC照X-RAY时间长了会坏？

tencome

请教一下大神， 同样类型的IC，大概20nm左右的制程， 有些厂家的照X-RAY就没问题，有些厂家的IC照X-RAY时间长了会坏？   坏品的表现是电荷泄露的速度过快，超过设定标准。



这个是什么原因导致的？  与晶体管结构有关么？

waley

也想了解^^

copper_hou

漏电流主要由绝缘介质层的特性等级决定。X-ray的高光子能量照射绝缘介质膜层就会导致其绝缘特性发生漂移（与Thin film deposition以及dry etch过程中的VUV照射类似的机理）。另外不同fab厂的工艺控制水平差异（主要是每个膜层制程静电荷残留的控制是否足够低），也是会导致MOS的特性曲线发生漂移。