M1和M2之间填充介质一般采用什么材料

tencome · 发表于 2023-3-8 16:39:24

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请教一下大神，这个M1和M2之间填充介质一般采用什么材料？

下载的PPT，这一页没有写详细的数据，不太懂需要学习学习。。。

feynmancgz · 发表于 2023-3-8 17:25:51

一般是USG或者FSG

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tencome · 发表于 2023-3-8 17:35:50

feynmancgz 发表于 2023-3-8 17:25
一般是USG或者FSG

多谢版主。

另外请教一下，硅的导热系数是0.21W/m·K ，二氧化硅的导热系数0.27W/cm·K

没有找到 SiON 氮氧化硅的导热系数，不知道版主有这个数据么？

feynmancgz · 发表于 2023-3-9 01:03:19

本帖最后由 feynmancgz 于 2023-3-9 01:15 编辑

tencome 发表于 2023-3-8 17:35
多谢版主。

你这数据有点问题吧，硅导热还是挺好的，大致130～140 W/m/K之间，

SiO2 和 SiON 差不多，都在 1.5 W/m/K 左右

另外导热系数这东西，跟物质状态有关，比如单晶硅导热就比较好，但多晶硅只有 20 W/m/K 左右

seafly2009 · 发表于 2023-3-9 10:12:52

feynmancgz 发表于 2023-3-8 17:25
一般是USG或者FSG

他这个是.18的flow,我记得18ILD应该是用的BPSG+TEOS吧

黄17141213013 · 发表于 2023-3-9 11:17:54

都是电介质

feynmancgz · 发表于 2023-3-9 16:54:34

本帖最后由 feynmancgz 于 2023-3-9 16:56 编辑

seafly2009 发表于 2023-3-9 10:12
他这个是.18的flow,我记得18ILD应该是用的BPSG+TEOS吧

PMD 大多是 BPSG（因为需要做较高温850C的reflow），IMD/ILD 我见过的大多是USG或者FSG（这个没必要做reflow，也没法做）而且可以低温（400C）做。

他画的整个PMD是SiON（做薄层倒是有），这个在一般CMOS工艺中我还真是孤陋寡闻没见过
光芯片工艺中，用BP doped SiON这个是见过

seafly2009 · 发表于 2023-3-9 17:08:04

feynmancgz 发表于 2023-3-9 16:54
PMD 大多是 BPSG（因为需要做较高温850C的reflow），IMD/ILD 我见过的大多是USG或者FSG（这个没必要做refl ...

SION一般就做200A,当做CT etch stop layer用，可能他这个不是普通的18 logic工艺，是HV那块的

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