电源抑制比的拐点

fanjialin

                               
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第一张图是lstb 第二张图是psr仿真


请问大佬们，lstb中的gbw的频率 和psr 的拐点频率 有关系吗
顺带请问下psr 曲线为啥是这样变化的

fanjialin

大佬们 sos

狒狒的柯基

只有仿真图，不知道你做的是什么电路的话也没办法帮你分析原因哈。

看你的图上有负载电流的值，这是一个LDO的仿真结果吗？

先说两点吧。
1.stb曲线在高频时上翘到这么高，我有点怀疑瞬态仿真的时候你的电路能不能稳定输出。

2.从你的PSR曲线上看，开始上翘的时候与环路的主极点位置接近。这可能是由于你环路的带宽限制，导致超过这个频率后环路的增益开始以-20dB/dec的速度下降，使PSR的曲线以相同速度上升。至于你提到的GBW的位置和PSR的关系，在GBW处由于环路中的运放已经不再提供增益，PSR完全由MOS或电阻分压维持，此时中频PSR的表现就是最差的。当然具体还是得看你做的是什么，怎么做的才好分析~

ww1573428537

我觉得得看具体电路吧，电源到输出的路径和输入到输出的环路会有部分重合，但肯定有不同路径存在，特别是补偿电路很可能对二者的影响完全不一样。不过主环路的增益对PSRR影响很大。

fanjialin

   

狒狒的柯基 发表于 2023-2-14 15:08
只有仿真图，不知道你做的是什么电路的话也没办法帮你分析原因哈。

看你的图上有负载电流的值，这是一个LD ...

感谢大佬回复，电路就是普通的pmos做pass管的LDO 然后我还想请教一下 就是您可以看到 psr的曲线拐点在160k的位置，就是想知道为什么psr又变大了？还要这个160k 按照理论分析 是不是应该要等于 lstb中gbw的频率呢？

狒狒的柯基

高频PSR变大是由于输出节点接的负载电容开始起作用，使得输出点对Vdd的分压变小（减小了输出阻抗，或者理解为将输出点的纹波开始短路到地）。如果你推导PSR的传函会发现负载电容比较大时高频PSR性能会更好。

理论上来说GBW对应PSR曲线的位置应该接近最差但不一定刚好是最差的位置，因为从传输函数看GBW处是对PSR曲线提供了一个极点使得它不再继续上升而趋于平缓。

另外如果你做的是带片外大电容的LDO，片外电容的ESR的大小也会对PSR造成影响。具体的理论分析你可以看一些文章，我这里就放一篇供你参考。

huang0222

   

狒狒的柯基 发表于 2023-2-15 10:47
高频PSR变大是由于输出节点接的负载电容开始起作用，使得输出点对Vdd的分压变小（减小了输出阻抗，或者理解 ...

学习学习！

fanjialin

   

狒狒的柯基 发表于 2023-2-15 10:47
高频PSR变大是由于输出节点接的负载电容开始起作用，使得输出点对Vdd的分压变小（减小了输出阻抗，或者理解 ...

多谢大佬~