蒙特卡洛仿真结果的直方图有什么含义？

Annes985

harbour123 发表于 2024-10-8 09:20
mean很大的话是不是应该首先寻找电路中的不对称？这种应该算是系统误差了吧
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如果是折叠式共源共栅，电路中的每个尺寸都对称，但是也是mean很大，σ比较小，这是什么情况呀？

刚入门的小明

Annes985 发表于 2024-12-2 16:33
如果是折叠式共源共栅，电路中的每个尺寸都对称，但是也是mean很大，σ比较小，这是什么情况呀？
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请问您解决了吗？

harbour123

Annes985 发表于 2024-12-2 16:33
如果是折叠式共源共栅，电路中的每个尺寸都对称，但是也是mean很大，σ比较小，这是什么情况呀？
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那我觉得应该继续寻找一下不对称，把直流工作点什么的都打出来，前仿真都对称的情况下系统误差应该很小才对

LWang050327

大佬们，问一下这个mean是什么意思？代表的是运放“一般”情况的offset吗（因为此处概率最大？）为什么offset是3sigma，是因为此处反应的是最差的offset吗？
mean不为0的原因是什么？随机失配（如阈值电压失配）和系统失配（增益不够高，电路不对称）共同导致的吗

NSCAZ

超高校级摸鱼王 发表于 2023-2-10 17:06
sigma = 标准差 == 衡量一组数据相对其平均值的偏离程度，标准差越小，数据分布越集中。
如果一组数据满足 ...

大佬您好，我在这里借楼问一个同样是MC的问题。

在设计阶段的良率分析工作中，我看了很多SRAM电路的良率分析步骤，
按照那些文章的说法，按照传统的MC方法，良率是通过仿真超级多的样本点，然后有效点的数量占比就是良率。这种就是相当于把电路的良率暴力求解出来。
但是我们在做模拟电路分析的时候，比如一个放大器，可能也就仿真2000个点，然后我们通过仿真结果的直方图，看看4sigma或者6sigma的浮动是否达到电路指标。从而判断出电路的良率至少在**%的水平。

请问以上两种分析良率的思路那种是更加符合我们电路设计者的工作呢？因为按照我的直观的思想，我觉得第一种似乎更加符合蒙特卡洛这个方法。

因为我并不是专门做电路设计的，所以对电路设计工作中良率的具体分析和优化的方法了解的并不深刻不直观，还请多多指教。

这是啥

Annes985 发表于 2024-12-2 16:33
如果是折叠式共源共栅，电路中的每个尺寸都对称，但是也是mean很大，σ比较小，这是什么情况呀？
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mean很大估计是系统失配没调好，通常是第一级负载电流镜那里管子的vds不一样，调一下输出管的电流和尺寸，跟电流镜成比例就能让第一级失配减小了

这是啥

NSCAZ 发表于 2025-4-9 12:04
大佬您好，我在这里借楼问一个同样是MC的问题。

在设计阶段的良率分析工作中，我看了很多SRAM电路的良率 ...

感觉两者差不多吧，MC仿真就是考虑了失配，看仿出来的结果怎么变化，仿真点越多，越可能覆盖到更多极限corner，良率不就是看你定的指标，然后看仿出来多少落在指标内，比如取3sigma，都能卡在指标内，那你的良率评估就大概是大于99.7%，取5、6个sigma，可能指标就卡不住了。蒙卡仿真太消耗资源，仿不了太多点的。SARM电路没做过，不清楚如何评估良率。看看有没有路过的大佬解答一下。