NWELL电阻under STI的制造流程是什么？

danalog · 发表于 2023-2-5 16:46:43

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我有一个问题不懂，芯片制造先做STI，难道nwell resistor under STI是在STI制作的之前，在有这个电阻的位置先进行nwell注入？然后再经行STI的制作？

萧炎 · 发表于 2023-11-16 16:41:24

同问

囧囧囧whisky · 发表于 2023-11-22 15:38:32

先做阱吧再有源区

qin1900 · 发表于 2023-11-30 10:53:49

同问

cd1992 · 发表于 2023-12-13 16:51:51

早期可能会有阱做在AA之前的做法，但是那个会需要zero层，目前除了BCD制程很少特意加zero了，所以基本都是先AA再做阱。N阱打的峰值深度0.6um是有的，STI深度再深一般超不过0.5um，是能打过去的。NWAA电阻一般400~500ohm, NWSTI 900~1000ohm,如果打不过去，仅仅靠NW的横向扩散，NWSTI的电阻得好几千吧

simon85 · 发表于 2024-2-23 11:03:21

5#讲的对，NWSTI Rs还能在一定程度上反应STI深度的变化。

高晨阳 · 发表于 2024-6-13 17:45:45

cd1992 发表于 2023-12-13 16:51
早期可能会有阱做在AA之前的做法，但是那个会需要zero层，目前除了BCD制程很少特意加zero了，所以基本都是 ...

NWELL电阻under STI和NWELL电阻under AA在使用上有什么区别？

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