bcd工艺用哪种晶向的硅片，原因是什么

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缥渺星尘

对于晶向，在40nm以前，CMOS工艺往往都是采用<100>晶向的衬底。到了28nm，为了最大限度地改善PMOS的迁移率，业界采用了<110>晶向的衬底。在这个方向上，PMOS沟道对压应力最为敏感，因而迁移率可以获得最大程度地提升。28nm工艺会采用源漏锗硅应力技术来优化空穴迁移率，在<100>晶向，可以获得约20%的提升。28nm最常用的是衬底就是300mm的带有轻掺杂p型外延硅(4um)的重掺杂单晶硅衬底，其晶面指数为（100），晶向指数为<110>，厚度约0.5mm。
BCD工艺中器件种类多，必须做到高压器件和低压器件的兼容;双极工艺和CMOS工艺的相兼容，尤其是要选择合适的隔离技术;为控制制造成本，必须考虑光刻版的兼容性。考虑到器件各区的特殊要求，为减少工艺制造用的光刻版，应尽量使同种掺杂能兼容进行。因此，需要精确的工艺模拟和巧妙的工艺设计，有时必须在性能与集成兼容性上作折中选择。通常BCD采用双阱工艺，有的工艺会采用三阱甚至四阱工艺来制作不同击穿电压的高压器件。BCD工艺依据不同制程用<110>晶向和<100>晶向硅片。