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[求助] TSMC 22nm到5nm,电容会shrink几倍呢?

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发表于 2022-11-29 20:56:23 | 显示全部楼层 |阅读模式

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比如都以最小尺寸的反相器为例,电容变化量是等于22/5吗?应该不是和面积成平方关系吧,因为目前的工艺感觉不再在两个dimension缩小栅电容
发表于 2022-11-29 23:30:15 | 显示全部楼层
这问题问的。
首先,22是平面工艺,严格来说在T的工艺序列里面,是28的95%的shrink;而从16开始,就变成3D的FINFET工艺了,设计规则尺寸的概念就已经不一样了。

其次,就是以前的平面工艺,也不是简单的尺寸比,面积是缩小了,但是栅氧也变薄了啊,tox不一样了,比如90到40,W相等的情况下,电容也肯定不是简单的90/40
 楼主| 发表于 2022-12-20 19:00:22 | 显示全部楼层


andyfan 发表于 2022-11-29 23:30
这问题问的。
首先,22是平面工艺,严格来说在T的工艺序列里面,是28的95%的shrink;而从16开始,就变成3D ...


感谢回复

在原来的平面工艺里,栅氧电容应该近似是线性下降的吧。比如从90到45工艺,晶体管的两个尺寸W和L都会缩小,栅氧厚度tox也会缩小。如果它们的缩小倍数相同,那么最终的电容值就是线性下降的。可能栅氧厚度的缩小会更加困难,这会导致实际电容缩小倍数更多。

对FinFET工艺就不太了解了,只是听说新的工艺有更小的pitch,具体电容变化趋势大概是怎样的,还望有经验的大佬分享。

谢谢
发表于 2024-3-31 23:13:47 | 显示全部楼层
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