TSMC 22nm到5nm，电容会shrink几倍呢？

duty001 · 发表于 2022-11-29 20:56:23

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比如都以最小尺寸的反相器为例，电容变化量是等于22/5吗？应该不是和面积成平方关系吧，因为目前的工艺感觉不再在两个dimension缩小栅电容

andyfan · 发表于 2022-11-29 23:30:15

这问题问的。
首先，22是平面工艺，严格来说在T的工艺序列里面，是28的95%的shrink；而从16开始，就变成3D的FINFET工艺了，设计规则尺寸的概念就已经不一样了。

其次，就是以前的平面工艺，也不是简单的尺寸比，面积是缩小了，但是栅氧也变薄了啊，tox不一样了，比如90到40，W相等的情况下，电容也肯定不是简单的90/40

duty001 · 发表于 2022-12-20 19:00:22

andyfan 发表于 2022-11-29 23:30
这问题问的。
首先，22是平面工艺，严格来说在T的工艺序列里面，是28的95%的shrink；而从16开始，就变成3D ...

感谢回复

在原来的平面工艺里，栅氧电容应该近似是线性下降的吧。比如从90到45工艺，晶体管的两个尺寸W和L都会缩小，栅氧厚度tox也会缩小。如果它们的缩小倍数相同，那么最终的电容值就是线性下降的。可能栅氧厚度的缩小会更加困难，这会导致实际电容缩小倍数更多。

对FinFET工艺就不太了解了，只是听说新的工艺有更小的pitch，具体电容变化趋势大概是怎样的，还望有经验的大佬分享。

谢谢

cmmjava · 发表于 2024-3-31 23:13:47

感谢分享

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