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[求助] 请教关于Offset spacer的作用

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发表于 2022-11-23 17:51:17 | 显示全部楼层 |阅读模式

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在28nm或40nm CMOS工艺中,Poly etch之后,LDD 之前的有一步offset spacer. 这步的目的是什么? 在较大尺寸的0.18um中,在Poly etch之后有一步re-oxidation,目的是修复poly etch引起的损伤。这个offset spacer的目的跟这个相同吗?
发表于 2022-11-24 16:15:11 | 显示全部楼层
2楼感觉说的有些问题,一般来说28nm SPA这里会有3个ETCH,分别是offset spa etch, main spa etch, SPT spa etch,这个offset spa是放在LDD imp前边的,这在40nm以下是没有的,主要是降低LDD imp和GATE的overlay cap,优化MOS的RC,当然这道ALD spa很薄,main SPA就和老工艺作用是一样的,SPT etch主要是为了后面CESL做的,至于在较大尺寸的0.18um中,在Poly etch之后有一步re-oxidation,目的是修复poly etch引起的损伤,这个re-ox是poly oxide平台才有的,poly-sion平台貌似没了
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发表于 2022-11-24 02:05:43 | 显示全部楼层
本质上没什么区别,都是侧墙工艺;offset 主要是打Halo/LDD,降低尖峰电场强度,Spacer主要是为了后面的S/D IMP,减少HCI问题
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 楼主| 发表于 2022-11-24 11:04:49 | 显示全部楼层
谢谢回答!
再请问,offset的目的是什么? LDD不正是要沿着poly的边打下去吗?
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发表于 2022-11-24 16:20:18 | 显示全部楼层
本帖最后由 seafly2009 于 2022-11-24 19:28 编辑

这个专利可以看下

000000_20041117_0A_CN_0.pdf

327 KB, 下载次数: 3 , 下载积分: 资产 -2 信元, 下载支出 2 信元

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 楼主| 发表于 2022-11-25 09:11:18 | 显示全部楼层


seafly2009 发表于 2022-11-24 16:20
这个专利可以看下


优秀!
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