请教关于Offset spacer的作用

gcwen · 发表于 2022-11-23 17:51:17

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在28nm或40nm CMOS工艺中，Poly etch之后，LDD 之前的有一步offset spacer. 这步的目的是什么？在较大尺寸的0.18um中，在Poly etch之后有一步re-oxidation,目的是修复poly etch引起的损伤。这个offset spacer的目的跟这个相同吗？

转行入IC · 发表于 2022-11-24 02:05:43

本质上没什么区别，都是侧墙工艺；offset 主要是打Halo/LDD，降低尖峰电场强度，Spacer主要是为了后面的S/D IMP，减少HCI问题

gcwen · 发表于 2022-11-24 11:04:49

谢谢回答！
再请问，offset的目的是什么？ LDD不正是要沿着poly的边打下去吗？

seafly2009 · 发表于 2022-11-24 16:15:11

2楼感觉说的有些问题，一般来说28nm SPA这里会有3个ETCH，分别是offset spa etch, main spa etch, SPT spa etch,这个offset spa是放在LDD imp前边的，这在40nm以下是没有的，主要是降低LDD imp和GATE的overlay cap,优化MOS的RC,当然这道ALD spa很薄，main SPA就和老工艺作用是一样的，SPT etch主要是为了后面CESL做的，至于在较大尺寸的0.18um中，在Poly etch之后有一步re-oxidation,目的是修复poly etch引起的损伤，这个re-ox是poly oxide平台才有的，poly-sion平台貌似没了