在线咨询
eetop公众号 创芯大讲堂 创芯人才网
切换到宽版

EETOP 创芯网论坛 (原名:电子顶级开发网)

手机号码,快捷登录

手机号码,快捷登录

找回密码

  登录   注册  

快捷导航
搜帖子
查看: 1890|回复: 3

[讨论] HV高压工艺的DNW接法

[复制链接]
发表于 2022-10-26 11:00:10 | 显示全部楼层 |阅读模式

马上注册,结交更多好友,享用更多功能,让你轻松玩转社区。

您需要 登录 才可以下载或查看,没有账号?注册

x
     对于高压工艺,一般会分MV 和 HV mos,那对于MV(中压)MOS就涉及到DNW的电位给定,DNW由于在原理图这一级在symbol上没有引出pin脚,所以只有在后仿的时候发现电位没给对的问题。一般来说是防止DNW和sub之间的二极管导通。
     Q1:这里我想请教一下,除了根据电压检查是否会导通并产生漏电外,这种DNW接法是否还可能与LATCH UP相关呢?有没有什么更好的方法去确定这个电位呢?
发表于 2022-10-26 16:40:54 | 显示全部楼层
接源端或最高电位
 楼主| 发表于 2022-10-28 10:54:52 | 显示全部楼层


hadeheng 发表于 2022-10-26 16:40
接源端或最高电位


原里是什么呀?因为中压MOS的PMOS和NMOS都有DNW,那如果接最高电位的话,那PMOS的DNW和PSUB不就超压了嘛(虽然这里的DNW是通过NTAP接出去的)
发表于 2022-10-31 09:23:24 | 显示全部楼层


LYS013 发表于 2022-10-28 10:54
原里是什么呀?因为中压MOS的PMOS和NMOS都有DNW,那如果接最高电位的话,那PMOS的DNW和PSUB不就超压了嘛( ...


基本原理是保证衬底反偏,如果压差太大,就接源端吧,Vth还要低些
您需要登录后才可以回帖 登录 | 注册

本版积分规则

关闭

站长推荐 上一条 /2 下一条


小黑屋| 手机版| 关于我们| 联系我们| 在线咨询| 隐私声明| EETOP 创芯网
( 京ICP备:10050787号 京公网安备:11010502037710 )

GMT+8, 2024-12-24 02:33 , Processed in 0.020682 second(s), 7 queries , Gzip On, Redis On.

eetop公众号 创芯大讲堂 创芯人才网
快速回复 返回顶部 返回列表