使用gm/id设计两级运放，下方nmos管消耗了全部的VDS

xj_666

完整电路（共模反馈，差模放大，偏置）

stm2010

1.2V的电压，stack了5层mos管，还怎么工作在饱和区，除非你的W/L极大

xj_666

   

stm2010 发表于 2022-9-18 19:58
1.2V的电压，stack了5层mos管，还怎么工作在饱和区，除非你的W/L极大

是的，进过共模反馈调节和更精确的gm/id计算后，取得了70db的增益，管子均在饱和区。但是电源电压确实小。